【摘要】：通過單靶一步濺射再退火的方法,在鈉鈣玻璃及鍍鉬玻璃襯底上制備了銅銦硒(CIS)薄膜。通過優(yōu)化工藝參數(shù),獲得了結(jié)晶性良好的CIS薄膜,分析了濺射沉積薄膜時(shí)襯底溫度及不同退火溫度對(duì)薄膜結(jié)晶性的影響。研究發(fā)現(xiàn),襯底溫度為150℃時(shí),退火獲得的CIS薄膜結(jié)晶性最好;不同的退火溫度對(duì)Mo襯底上的CIS薄膜結(jié)晶性影響不大。結(jié)果表明,靶材的致密度對(duì)CIS薄膜性能有較大的影響,說明一步法制備CIS薄膜對(duì)靶材有較高的質(zhì)量要求。

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