發(fā)布時(shí)間：2023-05-30 22:09

　　NAND Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)殘留會(huì)導(dǎo)致嚴(yán)重的數(shù)據(jù)安全問(wèn)題，存儲(chǔ)數(shù)據(jù)邏輯銷(xiāo)毀技術(shù)成為了重要研究?jī)?nèi)容。覆寫(xiě)是數(shù)據(jù)銷(xiāo)毀的重要方法之一，覆寫(xiě)內(nèi)容和次數(shù)的選取依據(jù)值得探索，特別是選擇最佳的覆寫(xiě)序列和最少的覆寫(xiě)次數(shù)，對(duì)NAND Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)應(yīng)急銷(xiāo)毀是非常重要的。本文分析了NAND Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)攻擊模型，探索邏輯銷(xiāo)毀安全與覆寫(xiě)序列和次數(shù)的關(guān)系，重點(diǎn)研究了基于覆寫(xiě)和跳變總數(shù)的NAND Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)邏輯銷(xiāo)毀技術(shù)。 1．分析了NAND Flash的存儲(chǔ)原理和特性、NAND Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的邏輯銷(xiāo)毀方法和主要的NAND Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)邏輯銷(xiāo)毀標(biāo)準(zhǔn)。 2．從攻擊者的角度分析NAND Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)攻擊條件與目標(biāo)，研究提出了基于覆寫(xiě)和跳變總數(shù)的NAND Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)恢復(fù)概率模型，詳細(xì)地分析了恢復(fù)概率曲線(xiàn)特征，以及恢復(fù)概率與銷(xiāo)毀覆寫(xiě)序列和覆寫(xiě)次數(shù)的關(guān)系，給出了安全銷(xiāo)毀區(qū)間的概念，對(duì)研究NAND Flash邏輯銷(xiāo)毀技術(shù)具有理論指導(dǎo)意義。 3．設(shè)計(jì)了一種基于密文保護(hù)的NAND Flash型密碼載體應(yīng)急邏輯銷(xiāo)毀方案。該方案由數(shù)據(jù)加密機(jī)制和NAND Flash存儲(chǔ)數(shù)據(jù)應(yīng)急邏輯銷(xiāo)毀算法兩...

【文章頁(yè)數(shù)】：76 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
Abstract
第一章 緒論
    1.1 研究背景及意義
    1.2 研究現(xiàn)狀
        1.2.1 國(guó)外研究現(xiàn)狀
        1.2.2 國(guó)內(nèi)研究現(xiàn)狀
    1.3 主要研究?jī)?nèi)容
    1.4 本文的組織結(jié)構(gòu)
第二章 NAND Flash 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)邏輯銷(xiāo)毀方法
    2.1 NAND Flash 存儲(chǔ)原理與特性
        2.1.1 NAND Flash 存儲(chǔ)原理
        2.1.2 NAND Flash 芯片存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)及特性
    2.2 NAND Flash 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)邏輯銷(xiāo)毀方法
        2.2.1 頁(yè)覆寫(xiě)與塊刪除方法
        2.2.2 基于密文保護(hù)的方法
    2.3 NAND Flash 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)邏輯銷(xiāo)毀標(biāo)準(zhǔn)
    2.4 本章小結(jié)
第三章 NAND Flash 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)恢復(fù)概率模型研究
    3.1 NAND Flash 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)攻擊條件與目標(biāo)
        3.1.1 攻擊條件
        3.1.2 攻擊目標(biāo)
    3.2 基于覆寫(xiě)和跳變總數(shù)的 NAND Flash 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)恢復(fù)概率模型
        3.2.1 恢復(fù)概率模型形式化定義
        3.2.2 跳變次數(shù)與恢復(fù)概率的關(guān)系
        3.2.3 攻擊時(shí)刻與恢復(fù)概率的關(guān)系
        3.2.4 跳變次數(shù)和攻擊時(shí)刻與恢復(fù)概率的關(guān)系
    3.3 NAND Flash 存儲(chǔ)數(shù)據(jù)恢復(fù)概率模型分析
        3.3.1 恢復(fù)概率的曲線(xiàn)特征
        3.3.2 恢復(fù)概率差分析
        3.3.3 安全銷(xiāo)毀區(qū)間分析
        3.3.4 覆寫(xiě)序列與覆寫(xiě)次數(shù)選取總結(jié)
        3.3.5 敏感信息序列恢復(fù)概率分析
    3.4 本章小結(jié)
第四章 基于密文保護(hù)的 NAND Flash 應(yīng)急邏輯銷(xiāo)毀方案設(shè)計(jì)
    4.1 設(shè)計(jì)思想
    4.2 應(yīng)急邏輯銷(xiāo)毀方案
        4.2.1 應(yīng)急邏輯銷(xiāo)毀方案結(jié)構(gòu)
        4.2.2 數(shù)據(jù)加密機(jī)制
        4.2.3 邏輯銷(xiāo)毀算法
    4.3 方案分析
        4.3.1 時(shí)間開(kāi)銷(xiāo)分析
        4.3.2 安全性分析
    4.4 本章小結(jié)
第五章 具有邏輯銷(xiāo)毀功能的 NAND Flash 控制器設(shè)計(jì)
    5.1 具有邏輯銷(xiāo)毀功能的 NAND Flash 控制器的設(shè)計(jì)
        5.1.1 控制器結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
        5.1.2 主控邏輯模塊設(shè)計(jì)
        5.1.3 加解密模塊設(shè)計(jì)
        5.1.4 邏輯銷(xiāo)毀模塊設(shè)計(jì)
    5.2 仿真驗(yàn)證與性能分析
        5.2.1 密鑰保護(hù)仿真
        5.2.2 數(shù)據(jù)加解密模塊仿真
        5.2.3 加解密數(shù)據(jù)讀寫(xiě)操作仿真
        5.2.4 邏輯銷(xiāo)毀功能仿真
        5.2.5 系統(tǒng)的性能分析
    5.3 本章小結(jié)
第六章 總結(jié)與展望
    6.1 主要工作總結(jié)
    6.2 下一步工作展望
致謝
參考文獻(xiàn)
作者簡(jiǎn)歷



本文編號(hào)：3825127