自從上世紀60年代以來,集成電路（IC）產業(yè)一直按照摩爾定律所預計的方式高速發(fā)展著,現(xiàn)在已成為國民經濟中重要的組成部分。然而,隨著工藝尺寸的不斷縮小,集成度越來越高,互補金屬氧化物半導體（CMOS）工藝正面臨著諸多物理瓶頸,如熱耗散問題、短溝道效應和量子力學效應等。同時,納米電子器件,包括單晶體管、共振隧穿二極管（RTD）等,將會成為后CMOS時期集成電路的重要技術之一。 共振隧穿二極管是利用共振隧穿效應制造的高速二端器件,也是目前唯一能夠使用常規(guī)IC技術設計和制造的納米電子器件。它具有工作頻率高、速度快、電路功耗低、負內阻和自鎖等特性,廣泛應用于高速低功耗電路設計中。同時,通用邏輯單元作為一種可編程邏輯電路,具有實現(xiàn)功能豐富、設計靈活等特點,是構成大規(guī)模集成電路的單元模塊。RTD器件因為其特性,非常適合于設計通用邏輯單元。因此,提出有效的RTD通用邏輯單元電路結構和設計方法成為共振隧穿二極管研究領域的重要內容之一 在本文中,首先將譜技術應用到RTD電路設計中,用以區(qū)分閾值函數(shù)和非閾值函數(shù)。根據譜系數(shù)在閾值函數(shù)中的分布情況,結合單雙穩(wěn)態(tài)轉換邏輯電路（MOBILE）,設計... 

【文章頁數(shù)】：122 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

2RTD/HFET器件結構和I一V特性曲線

1四相時鐘和RTD級聯(lián)電路結構

三變量通用閩值邏輯門電路實例及HSPICE仿真表得到電路的接線方式

【參考文獻】：
期刊論文
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本文編號：3727188