目前,壓電（光）電子學(xué)作為納米技術(shù)研究的熱點(diǎn)引起了全球?qū)W術(shù)界的廣泛關(guān)注。由于具有優(yōu)異的光學(xué)性能、半導(dǎo)體性能和壓電性能,纖鋅礦結(jié)構(gòu)Zn O成為壓電（光）電子學(xué)領(lǐng)域?yàn)閿?shù)不多的主導(dǎo)納米材料之一�；赯n O的三元耦合效應(yīng)構(gòu)建壓電（光）電子器件,探究壓電（光）電子學(xué)效應(yīng)對(duì)器件界面處載流子行為的調(diào)控規(guī)律,已成為納米半導(dǎo)體器件的研究熱點(diǎn)。本論文成功地制備了金顆粒修飾的單根ZnO微米線,通過(guò)壓電勢(shì)和肖特基勢(shì)壘的有效耦合增強(qiáng)了對(duì)Zn O微米線載流子輸運(yùn)過(guò)程的調(diào)控,提高了應(yīng)力紫外光探測(cè)器、應(yīng)力門(mén)控晶體管和紫外光-應(yīng)力雙門(mén)控晶體管的性能,主要研究工作如下。1.首先,采用化學(xué)氣相沉積法,制備高結(jié)晶度的超長(zhǎng)ZnO微米線。其次,采用離子束濺射法在ZnO微米線表面修飾金顆粒,利用熱場(chǎng)發(fā)射掃描電鏡（SEM）、透射電子顯微鏡（TEM）和光致發(fā)光光譜（PL）等各種表征手段對(duì)其進(jìn)行分析甄別。最后,將尺寸合適的ZnO微米線轉(zhuǎn)移到聚酰亞胺柔性基底上,兩端點(diǎn)焊銀漿作為電極制備應(yīng)力紫外光探測(cè)器。測(cè)試結(jié)果表明,在同等彎曲程度下,與無(wú)金顆粒修飾的紫外光探測(cè)器相比,金顆粒修飾的器件更大幅度地降低了探測(cè)器暗電流,提高了其光響應(yīng)速率。這是... 

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【學(xué)位級(jí)別】：博士

【部分圖文】：

單晶ZnO的低溫光致發(fā)光光譜

ZnO部分缺陷能級(jí)位置

ZnO的典型透射光譜

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]ZnO納米線楊氏模量尺寸效應(yīng)研究[J]. 朱靜.  中國(guó)基礎(chǔ)科學(xué). 2007(02)



本文編號(hào)：3605227