發(fā)布時(shí)間：2025-04-01 02:14

　　白光LED用氟化物基質(zhì)紅色熒光粉由于其優(yōu)異的光學(xué)性能越來越多的受到了國(guó)內(nèi)外研究者的關(guān)注�，F(xiàn)有的的液相合成方法存在Mn⁴⁺純度低、反應(yīng)時(shí)間較長(zhǎng)、原材料昂貴不易獲得等缺點(diǎn)。在前人的基礎(chǔ)上,本文采用離子交換-沉淀法成功制備出五個(gè)體系的氟化物基質(zhì)紅色熒光粉:Cs₂GeF₆:Mn⁴⁺、Cs₂SiF₆:Mn⁴⁺、Cs₂TiF₆:Mn⁴⁺、Cs₂ZrF₆:Mn⁴⁺、Rb₂GeF₆:Mn⁴⁺,同時(shí)對(duì)物相和形貌結(jié)構(gòu)進(jìn)行表征;研究其室溫下的發(fā)光性能,以及Mn⁴⁺摻雜濃度與溫度對(duì)其發(fā)光強(qiáng)度的影響;ZPL（Zero Phonon Line）強(qiáng)度與晶體結(jié)構(gòu)對(duì)稱性的關(guān)系,以及共振發(fā)射增強(qiáng)（RE E）理論被探索驗(yàn)證;挑選出了發(fā)光最強(qiáng)、量子效率最高的C...

【文章頁(yè)數(shù)】：69 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1(a)不同功率下，普通鋁酸鹽熒光粉與高晶體鋁酸鹽熒光粉光轉(zhuǎn)換效率的變化；(b)不同電流下，普通鋁酸鹽熒光粉與

為晶體場(chǎng)是影響5d電子的關(guān)鍵因素。當(dāng)用Gd或Tb替換Y時(shí)，隨增加，激發(fā)光譜和發(fā)射光譜的紅移被發(fā)現(xiàn)。相反，當(dāng)用Lu代替替Al時(shí)，隨著Lu或Ga的摩爾比的增加，在發(fā)射或激發(fā)光譜上能移，因此得到了一系列綠色熒光粉。含鋁的綠色熒光粉的穩(wěn)定性較綠色熒光粉成....

圖1.2(a)圖為改良前的；(b)圖為改良后的的氮化物紅色熒光粉的SEM圖

4譜的FWHM，有效地改善了氮化物紅色熒光粉的表面形貌，并通過原料優(yōu)化和強(qiáng)化煅燒等技術(shù)顯著提高了熒光粉顆粒的結(jié)晶度，改進(jìn)后的熒光粉如圖1.2所示。圖1.2(a)圖為改良前的；(b)圖為改良后的的氮化物紅色熒光粉的SEM圖1.2.3白光LED用氮氧化物系列熒光粉β-S....

圖1.3Mn4+離子的3d能級(jí)結(jié)構(gòu)示意圖

ED用Mn4+摻雜氟化物基質(zhì)熒光粉的簡(jiǎn)介質(zhì)種外電子結(jié)構(gòu)為3d3的過渡金屬離子。在Mn4+的光射帶，這是其獨(dú)特的電子結(jié)構(gòu)的結(jié)果，圖1.3是其光粉的光學(xué)性能對(duì)局域協(xié)調(diào)環(huán)境非常敏感。這就是布和位置受到局域晶格環(huán)境的強(qiáng)烈影響。例如，當(dāng)嵌發(fā)射峰和激發(fā)峰分別位于650nm和....

圖1.4(a)室溫下A2MF6:Mn4+（A=K,Cs和Na;M=Ti和Si）的PL光譜；(b)氟化

2c(Td)，1a(Oh)和6e(C4v)，Mn4+離子取代K2SiF6八面體晶體場(chǎng)Si4+離子的。光致發(fā)光(PL)光譜顯示特征峰在600到650nm之間。主要的PL發(fā)射峰位8，612，630，634和646nm處，歸結(jié)為由Mn4+離子的局部配....

本文編號(hào)：4038785