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氮摻雜多孔石墨烯氣凝膠材料的制備及電化學性能研究

發(fā)布時間:2021-09-08 09:13
  可穿戴和便攜式電子設備以及新能源汽車的發(fā)展極大的刺激了電化學裝置的發(fā)展。尤其是在蓬勃發(fā)展的新能源汽車領域,更長里程、更高充電效率、更長使用壽命的用戶體驗要求電化學裝置擁有更出色的儲存和轉(zhuǎn)換效率。鑒于電極材料是儲能器件的關鍵環(huán)節(jié),設計出新穎優(yōu)越的電極材料一直是科研工作者的興趣所在。本征石墨烯片層的堆疊嚴重削弱了其良好導電率、化學和熱穩(wěn)定性、超高比表面積的優(yōu)秀特點,極大地打擊了石墨烯的研發(fā)和應用。本文采用水熱法,將氧化石墨烯組裝成三維多孔石墨烯氣凝膠的同時,利用水溶性的試劑將雜原子均勻的引入到石墨烯片層上,實現(xiàn)摻雜以達到提高其電化學性能的目的。1.以甲酰胺溶液為摻氮劑,水熱條件下形成氮摻雜石墨烯水凝膠,冷凍干燥后炭化獲得其氣凝膠(NGAs)。調(diào)整甲酰胺與氧化石墨烯溶液的體積比獲得不同摻氮量和孔洞結(jié)構(gòu)的材料。以NGAs為活性物質(zhì)組裝成鋰離子負極半電池并借助多種手段探究其性能表現(xiàn)。分析表明,NGAs-2具有更高的比容量(0.1 A g-1時初始放電比容量達到1653.5 mAh g-1,即使經(jīng)過100個循環(huán),其可逆比容量仍能達到534.8 mAhg-1)、良好的倍率性能(5.0 A g-1時為... 

【文章來源】:北京化工大學北京市 211工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】:79 頁

【學位級別】:碩士

【部分圖文】:

氮摻雜多孔石墨烯氣凝膠材料的制備及電化學性能研究


圖2-1半電池組裝示意圖??Fig.2-1?Procedure?of?assembling?half-cells??

示意圖,示意圖,石墨,片層


40分鐘至均勻后倒入100?ml反??應釜,放入預先加熱到180°C的恒溫千燥箱中,等待重新升至180°C后計時維持??12?h后取出。自然冷卻至室溫后取出于去離子水中浸泡除去未反應完全的反應??物。后取出冷凍干燥即得氮摻雜多孔石墨烯氣凝膠(NGAs)。將之放入管式炭化??爐中,于N2氛圍下800°C恒溫2h,所設升溫速率為5°C?miir1。為簡化名稱以所??加甲酰胺體積不同分別命名為NGAs-16、NGAs-8、NGAs-4、NGAs-2、GAs?(即??x=0時)、。制備流程如圖3-1所不。??歐鶴’邊苷一??圖3-1?GA與TGAs的制備示意圖??Fig.3-1?A?schematic?illustration?of?the?preparation?of?GAs?and?NGAs??3.3實驗結(jié)果及討論??3.3.1?GAs和NGAs-x的形貌分析??氧化石墨烯水溶液經(jīng)由水熱處理能夠形成具有三維立體結(jié)構(gòu)的石墨烯氣凝??膠,為了確定石墨烯片層以及三維結(jié)構(gòu)的存在,對所制樣品進行SEM表征。圖??3-2為氮摻雜多孔石墨烯氣凝膠(NGAs_x)以及GAs的電鏡圖。從所有圖中均??能觀察到石墨烯片層的存在,大量褶皺和不同程度的孔洞結(jié)構(gòu)遍布石墨烯片層。??21??

曲線圖,速率,曲線圖,儲能


?第三章氮摻雜多孔石墨烯氣凝膠的制備及其電化學性能研宄???原反應能夠提供贗電容;3,電解液中的鋰離子穿過隔膜遷移到電極表面通過插??層反應進入石墨烯類材料晶格中從而提供電容。因此,雙電層儲能、贗電容儲能??以及插層反應共同構(gòu)成其儲能機理。圖3-3?(b)為NGAs-2在不同掃描速率下的??CV曲線,從圖中可以看出,盡管掃描速率不斷增大,曲線形狀維持較好,這暗??示材料具有較好的倍率性能。此外,掃速增大的情況下,插層反應的實現(xiàn)借助于??=:訪|?H?(b)?NGAs-2??-r?1-°:?^?1??BY?i:V^??25.?/?"6'?K?——20mV/s??——50mV/s??_〇?n???.?_〇.??0.0?0.5?1.0?1.5?2.0?2.5?3.0?0.0?0.5?1.0?1.5?2.0?2.5?3.0??Potentia丨(V?vs?Li/Li’?Potential(V?vs?Li/Li+)??圖3-3?(a)?GAs與NGAs-x在2?mV?s-1掃描速率下的CV曲線圖;(b)?NGAs-2在不??同掃描速率下的CV曲線圖??Fig.?3-3?(a)?CV?curves?of?GAs?and?NGAs-x?at?a?scan?rate?of?2?mV?s"1;?(b)?CV?curves?of??NGAs-2?at?different?scan?rate??鋰離子進入材料晶格需要改變原有晶格形態(tài),故而其反應速率較慢且可逆性弱于??贗電容儲能及雙電層儲能,因此其曲線性狀較之低掃速下更接近規(guī)整矩形。??圖3-4?(a)為GAs與NGAs-x在0.1?Ag_]電流密度

【參考文獻】:
博士論文
[1]三維納米多孔石墨烯基復合材料的可控合成及其超電容性能研究[D]. 秦凱強.天津大學 2017

碩士論文
[1]基于石墨烯基炭氣凝膠的鋰離子電容器研究[D]. 樊強.北京化工大學 2016



本文編號:3390523

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