場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電子產(chǎn)品中最基礎(chǔ),也是應(yīng)用最廣泛的元器件。其中,有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管因其體積小、重量輕、制備成本低、易于微/納集成等諸多優(yōu)點(diǎn)而引起人們的研究關(guān)注并取得了很大進(jìn)展,但是對(duì)于真正實(shí)現(xiàn)其產(chǎn)業(yè)化和商業(yè)化還有一定的距離。本文從有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管中最重要的組成部分之一-有機(jī)半導(dǎo)體材料入手,設(shè)計(jì)、合成新型的有機(jī)小分子和聚合物半導(dǎo)體材料,從其理化性質(zhì)與場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件制備及性能測(cè)試等方面展開(kāi)研究工作,主要研究?jī)?nèi)容如下:1、設(shè)計(jì)、合成了H型二維稠環(huán)化合物ATBF,利用循環(huán)伏安法、紫外-可見(jiàn)吸收光譜、紫外光電子能譜、熱重分析對(duì)其電化學(xué)、光物理和熱學(xué)性能進(jìn)行了表征。利用物理氣相傳輸法培養(yǎng)了ATBF大晶體和微/納尺寸的小晶體,并用X-射線衍射對(duì)單晶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了解析。利用原子力顯微鏡、掃描電子顯微鏡及透射電鏡等對(duì)其微/納尺寸單晶進(jìn)行了表征。采用底柵頂接觸構(gòu)型制備了基于ATBF的微/納尺寸單晶的單晶場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件,并研究了其電學(xué)特性,最高單晶遷移率達(dá)到0.78 cm²V^-1s^-1。最后與同系列的化合物ATBT進(jìn)行比較發(fā)現(xiàn)在該系列化合物中S…... 

【文章來(lái)源】：杭州師范大學(xué)浙江省

【文章頁(yè)數(shù)】：154 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)示意圖

杭州師范大學(xué)碩士學(xué)位論文緒論4圖1-2有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作示意圖（W代表溝道寬度，L代表溝道長(zhǎng)度）用來(lái)評(píng)價(jià)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件性能的基本參數(shù)主要是：遷移率（μ）、閾值電壓（VT）和開(kāi)關(guān)比（Ion/Ioff）。這些性能參數(shù)在測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)移特性曲線（IDS-VG）和輸出特性曲線（IDS-VDS）時(shí)可以獲得。如圖1-3所示為典型的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移曲線（左）和輸出曲線（右），在施加不同的柵壓時(shí)源-漏電流隨源-漏電壓的變化而變化的曲線為有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線，而在施加不同的源-漏電壓時(shí)源-漏電流隨柵壓的變化而變化的曲線為有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線。圖1-3有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管典型的轉(zhuǎn)移曲線（左）和輸出曲線（右）[8]遷移率是（μ）指的是在單位電場(chǎng)強(qiáng)度下所產(chǎn)生的載流子的平均漂移速度，也就是施加外場(chǎng)電壓時(shí)，載流子運(yùn)動(dòng)速度的快慢的一個(gè)量度，載流子移動(dòng)的越快，遷移率就會(huì)越大，相反運(yùn)動(dòng)的慢，遷移率就校遷移率是衡量器件性能最關(guān)鍵的指標(biāo)之一，遷移率越大表明該器件的性能越優(yōu)異，它代表了該器件中載流子導(dǎo)電

杭州師范大學(xué)碩士學(xué)位論文緒論4圖1-2有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管工作示意圖（W代表溝道寬度，L代表溝道長(zhǎng)度）用來(lái)評(píng)價(jià)有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件性能的基本參數(shù)主要是：遷移率（μ）、閾值電壓（VT）和開(kāi)關(guān)比（Ion/Ioff）。這些性能參數(shù)在測(cè)試場(chǎng)效應(yīng)晶體管轉(zhuǎn)移特性曲線（IDS-VG）和輸出特性曲線（IDS-VDS）時(shí)可以獲得。如圖1-3所示為典型的有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移曲線（左）和輸出曲線（右），在施加不同的柵壓時(shí)源-漏電流隨源-漏電壓的變化而變化的曲線為有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的轉(zhuǎn)移特性曲線，而在施加不同的源-漏電壓時(shí)源-漏電流隨柵壓的變化而變化的曲線為有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管的輸出特性曲線。圖1-3有機(jī)場(chǎng)效應(yīng)晶體管典型的轉(zhuǎn)移曲線（左）和輸出曲線（右）[8]遷移率是（μ）指的是在單位電場(chǎng)強(qiáng)度下所產(chǎn)生的載流子的平均漂移速度，也就是施加外場(chǎng)電壓時(shí)，載流子運(yùn)動(dòng)速度的快慢的一個(gè)量度，載流子移動(dòng)的越快，遷移率就會(huì)越大，相反運(yùn)動(dòng)的慢，遷移率就校遷移率是衡量器件性能最關(guān)鍵的指標(biāo)之一，遷移率越大表明該器件的性能越優(yōu)異，它代表了該器件中載流子導(dǎo)電


本文編號(hào)：3312784