三維碳超球體的可控制備、微結(jié)構(gòu)及電化學(xué)儲(chǔ)能研究
【學(xué)位單位】:西南交通大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TM53;TQ317
【部分圖文】:
圖 1.1 雙電層模型。(a) Helmholtz 模型,(b) Gouy-Chapman 模型,(c) Stern 模型[13]大小的電荷層;Gouy-Chapman 模型則認(rèn)為電解液離子并不是緊密排列在電極/電解液界面處的,熱運(yùn)動(dòng)致使離子在界面處形成擴(kuò)散層;Stern 模型結(jié)合了 Helmholtz 和 Gouy-Chapman 模型,認(rèn)為雙電層由緊密層(Stern layer)和擴(kuò)散層(Diffuse layer)組成。在Gouy-Chapman Stern 模型中,雙電層電容(Cdl)不受電勢(shì)影響,可以視為由緊密層電容(CH)和擴(kuò)散層電容(Cdiff)串聯(lián)形成,三者關(guān)系如公式(1 1)所示:1 1 1=dl H diffC C C (1 1)根據(jù) Stern 模型,雙電層電容器的電容量與電極材料的比表面積成正比關(guān)系[15],而一些研究發(fā)現(xiàn)并非如此,當(dāng)比表面積增大到一定程度時(shí),比電容的增長(zhǎng)變緩[16]。起初研究人員認(rèn)為 Brunauer-Emmertt-Teller (BET) 模型過(guò)高地估計(jì)了比表面積的值,采用Density Functional Theory (DFT) 模型對(duì)比表面積進(jìn)行修正,但該現(xiàn)象依舊存在。Barbieri
r 00ln[ / (a )]C Ab b (1 3)對(duì)于大孔,由于其曲率很。▓D 1.3a),可以用 Gouy Chapman Stern 模型描述其電荷分布,其電容量計(jì)算與平面電容器相似,如公式(1 4)所示。r 0C Ad (1 4)公式中,εr為電解質(zhì)介電常數(shù),ε0為真空介孔常數(shù),A 為有效比表面積,b 為孔半徑,d 為電荷中心到電極表面的距離,a0為離子的有效尺寸,d0為雙電層厚度。Huang 等人應(yīng)用公式(1 3)對(duì) Chmiola 的研究數(shù)據(jù)[19]進(jìn)行擬合,發(fā)現(xiàn)介電常數(shù) εr接近真空介電常數(shù) ε0,證明電解液離子在進(jìn)入微孔時(shí)發(fā)生了去溶劑化作用[21]。Kondrat 和 Kornyshev 等人的研究認(rèn)為在未施加電壓之前,碳材料孔隙內(nèi)只可能存在兩種狀態(tài),即充滿了電解液離子或者是完全不含有任何離子[22,23]。隨后的分子動(dòng)力
圖 1.4 微孔內(nèi)離子作用過(guò)程示意圖[27]。和原位核磁共振譜證實(shí)在外界電壓為 0 V 的情況下,碳孔內(nèi)充滿了電解這意味著在施加電壓的情況下,微孔內(nèi)存在多種可能的離子作用過(guò)程,而點(diǎn)認(rèn)為的那樣僅僅是電極表面電荷吸附帶異性電荷的離子。如圖 1.4 所示三種離子作用過(guò)程:反離子吸附、離子交換、與表面電荷符號(hào)相同的帶電多個(gè)離子作用過(guò)程可同時(shí)存在于充電過(guò)程[26]。原位核磁共振、原位紅外、體微天平等表征手段顯示在電荷存儲(chǔ)過(guò)程中,離子具體的作用機(jī)理與電電解液離子種類和電極材料有關(guān),而電解液的濃度對(duì)作用機(jī)理類別的影響說(shuō)隨孔徑逐漸減小至接近去溶劑化離子尺寸,比電容的異常升高主要依應(yīng)、碳材料表面對(duì)離子的篩選作用以及微孔限制了離子之間的屏蔽效應(yīng)去溶劑化[27]。電容器與雙電層電容器有本質(zhì)上的不同,它通過(guò)電極表面上電解液和電
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