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溶液中黑索金生長形態(tài)控制的理論研究

發(fā)布時間:2020-07-07 04:26
【摘要】:本論文運用密度泛函理論和分子動力學方法,采用Gaussian和Material studios軟件作為模擬工具,將黑索金(RDX)結(jié)晶實驗和"計算實驗"相結(jié)合,建立起RDX在溶液中生長的理論模型,并利用模型來解釋實驗結(jié)果,從而為RDX形態(tài)控制技術(shù)提供理論依據(jù)與實驗指導。對RDX晶胞和分子結(jié)構(gòu)的幾何優(yōu)化表明,COMPASS力場是模擬RDX晶體最優(yōu)力場。借助BFDH和AE晶習預測模型,RDX晶體真空下的生長形態(tài)主要是由(111)、(020)、(002)、(200)和(210)面組成,其中(111)面是形態(tài)學上最重要的生長面。對晶面結(jié)構(gòu)的分析表明,(111)面的形態(tài)結(jié)構(gòu)較為光滑,而(200)和(210)面的形態(tài)結(jié)構(gòu)相對粗糙。(210)、(002)、(200)和(111)晶面都有強極性的硝基基團顯露,而(020)面只有非極性的亞甲基基團顯露。從晶面極性的角度,(210)、(002)和(200)以及(111)面可以劃為極性晶面,其中(210)面的極性最強,而(020)面則是非極性晶面。PBC分析表明(210)、(002)、(200)、(111)和(020)面都含有兩個以上互相交纏的PBC鍵鏈,都是形態(tài)上的平坦面。采用密度泛函理論并借助SMD溶劑化模型研究了 RDX在環(huán)己酮、丙酮、二甲基甲酰胺和二甲亞砜等溶劑中的溶劑化效應。與氣相下相比,RDX分子引發(fā)鍵(N-N02)的鍵長在溶劑相中有著較大的改變,而鍵角和二面角受溶劑化效應的影響較小,RDX分子仍然保持AAE構(gòu)型。自然布局分析表明溶劑化作用會使RDX分子的硝基帶有更多的負電勢,而正電勢則主要集中在亞甲基基團上。對RDX分子結(jié)構(gòu)參數(shù)(N-N02鍵解離能、靜電勢平衡參數(shù)和硝基電荷)的計算表明溶劑化作用對RDX感度有著重要影響,而且在一定程度上有助于降低RDX感度,但這種影響有上限。對RDX溶劑化自由能的計算表明,RDX在丙酮和二甲基甲酰胺溶劑中有較大的溶劑化自由能,而在環(huán)己酮和二甲亞砜溶劑中則相對較小。預測了從環(huán)己酮和二甲亞砜溶劑結(jié)晶的RDX品質(zhì)要高于從二甲基甲酰胺和二甲亞砜溶劑。理論預測得到了實驗結(jié)果的支持。根據(jù)實際的溶液環(huán)境構(gòu)建了 RDX生長界面模型,包含由晶體內(nèi)部結(jié)構(gòu)所決定的RDX晶面相和大量溶劑分子組成的溶液相,并借助分子動力學模擬方法研究了溶劑相與RDX界面之間的相互作用。計算結(jié)果表明溶劑與(002)、(210)、(200)和(111)等極性面的吸附作用要強于其與非極性(020)面的吸附作用,其中(210)面有最大面吸附能。溶液相與RDX界面之間的吸附作用主要是由弱的C-H…O氫鍵作用、范德華作用以及靜電作用組成,其中范德華作用占據(jù)主導。通過分子靜電勢的表面定量分析解釋了靜電作用對丙酮—RDX界面吸附體系的貢獻要大于對環(huán)己酮—RDX界面吸附體系,因為丙酮分子與RDX分子發(fā)生靜電作用的傾向比環(huán)己酮分子更為強烈。從晶體生長的動力學和熱力學原理出發(fā),結(jié)合晶體生長的外部條件將晶面的修正附著能與其生長速率具體關(guān)聯(lián),建立起可用于描述RDX溶液生長的晶習預測模型。借助分子動力學方法預測了 RDX在不同溶液環(huán)境中的生長形態(tài),并且通過與實驗比較來驗證模型的可靠性。預測結(jié)果表明RDX在環(huán)己酮溶劑中生長時,所有的習性面都會保留,其中(210)和(111)面的形態(tài)重要性將會是最大的,而(020)、(002)和(200)面的形態(tài)重要性則會減小,而且(020)面重要性的降低是最明顯的。當從丙酮溶劑中生長時,(210)面成為形態(tài)上最重要的生長面,(111)、(002)和(200)面繼續(xù)顯露,而(020)面則會消失。理論預測的結(jié)果與實驗得到的RDX生長習性是相符的。溶劑擴散系數(shù)的研究顯示晶面的修正附著能與擴散系數(shù)之間可能存在著一定的對應關(guān)系。溶劑擴散系數(shù)越大,晶面的修正附著能就越小,對RDX晶體生長的影響就越強。丙酮溶劑對RDX各個晶面的擴散系數(shù)要大于環(huán)己酮溶劑,因此丙酮溶劑作用要強于環(huán)己酮作用,導致RDX在這兩種溶劑中表現(xiàn)出不同的結(jié)晶形貌,從而進一步驗證了預測模型的準確性。
【學位授予單位】:南京理工大學
【學位級別】:博士
【學位授予年份】:2016
【分類號】:TQ560.1
【圖文】:

分子構(gòu)型,晶胞,力場,模型


圖2.1邋(a)邋RDX晶胞模型和(b)邋RDX分子構(gòu)型逡逑Fig.邋2.1邋(a)邋The邋unit邋cell邋of邋RDX邋crystal邋and邋(b)邋RDX邋molecular邋strucUire逡逑2.3結(jié)果與討論逡逑2.3.1力場優(yōu)化逡逑2.3N1邋RDX晶胞優(yōu)化逡逑表2.2列出了邋COMPASS、PCFF和CVFF力場優(yōu)化的RDX晶胞參數(shù)和晶格能值,逡逑并與實驗值進行比較。逡逑從表2.2可知,對于RDX晶胞參數(shù),PCFF力場的優(yōu)化值與實驗值之間的偏差最大,逡逑其中最大的偏差達到了邋26.8%;與PCFF力場的優(yōu)化結(jié)果相比,CVFF力場優(yōu)化值的偏逡逑差相對較小,但參數(shù)6的偏差超過了邋16%;而在這H個為場中,COMPASS力場的優(yōu)偏差是最小的,盡管對晶胞密度/)的偏差有5.5%。為了進一步比較,引入均方根誤差逡逑

晶體生長形態(tài),模型預測,面積比


邐Chaii-AEE逡逑(化邋aii’-AAE逡逑圖2.2在PCFF、CVFF和COMPASS力場下優(yōu)化的RDX分子構(gòu)型示意圖逡逑Fig.邋2.2邋The邋schematic邋diagrams邋of邋RDX邋molecular邋conformations邋optimized邋by邋PCFF",CVFF邋and逡逑COMPA%邋force邋fields逡逑23.2真空下RDX晶體的生長形態(tài)逡逑2.3.2.1邋BFDH邋模型預須。叔义蠄D2.3是采用BFDH模型預測的真空下RDX晶體生長形貌。從圖中可W看到,RDX逡逑晶體形貌是由(111),(200),(020),(002)和(210)面姐成,形狀是菱柱體,長寬逡逑比(aspectratio)是邋1.32。逡逑感#逡逑圖2.3邋BFDH模型預測的真空下RDX晶體生長形態(tài)逡逑Fig.邋2.3邋The邋RDX邋crystal邋morphology邋in邋vacuum邋predicted邋by邋BFDH邋model逡逑表2.4是即DH模型計算的RDX晶習參數(shù)。從表中可知,(111)面是最大的顯露逡逑面,面積比超過了邋70%,具有最大的形態(tài)重要性;(200)面是第二大顯露面,面積比是逡逑12.9%;邋(020)和(002)面的顯露面積相對較小,面積比分別是7.2%和3.2%;邋(210)逡逑22逡逑

形貌,模型預測,晶體生長,形貌


1逡逑2.3.2.2AE模型預測逡逑采用AE模型預測的真空下RDX晶體生長形貌,見圖2.4。從圖中可見,RDX晶逡逑體顯露的重要晶面是(111)、(020)、(002)、(200)和(210)面,長寬比是1.巧。-逡逑⑥壚逡逑圖2.4邋AE模型預測的真空下RDX晶體生長形貌逡逑Fig.邋2.4邋The邋RDX邋crystal邋morphology邋in邋vacuum邋predic化d邋by邋AE邋model逡逑表2.4給出了邋AE模型計算的RDX晶體形貌參數(shù)。從表2.4可知,(111)面有最大逡逑的顯露面積比,達到了邋72%;邋(020)面是第二大顯露面,面積比是10.7%;邋(002)和(200)逡逑面的顯露面積比較接近,面積比分別是8.5%和6.4%;邋(210)面的顯露面積比是最小的,逡逑只有2.4%。(111)面的附著能是最小的,為-103.^kcal’mori,而(210)面的附著能是逡逑最大的,為-lW.26kcal-m0ri邋(-代表放熱)。RDX晶面的附著能主要是由范德華作用能逡逑和靜電作用能組成,其中范德華作用能的貢獻更大。由于晶面附著能與其生長速率成長逡逑比

【參考文獻】

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本文編號:2744646

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