鋁及鋁基固體推進(jìn)劑能量釋放特性研究
【圖文】:
Jeurgens[26]認(rèn)為在500°C以內(nèi),鋁的氧化存在著兩種不同的反應(yīng)機(jī)制,分別為快速氧化階段和緩慢氧化階段,反應(yīng)機(jī)理如圖1.2所示?焖傺趸A段出現(xiàn)在低溫段(T≤400°C),內(nèi)部的Al陽離子進(jìn)入正在生長的氧化層,與緊密堆積的O接觸,因此氧化層的生長速率受到電勢差的影響,隨著Al陽離子的不斷遷移,內(nèi)外電勢差逐漸縮小,最終遷移停止。氧化層的厚度具有一個臨界值,溫度越高,氧化層厚度越大。反應(yīng)機(jī)理示意圖如圖1.2(a)所示。當(dāng)溫度大于400°C時,鋁緩慢氧化,雖然高溫會加速Al陽離子向外遷移,但由于氧的粘附系數(shù)下降導(dǎo)致了氧的吸附速率下降,陽離子的遷移速率也隨之降低,此時氧化層的生成速率反而隨溫度的升高而降低。在快速氧化階段,鋁的表面形成了一層無定型的Al2O3,其厚度隨溫度的升高而增加。在緩慢氧化階段(T≥400°C),如圖1.2(b),氧化層的生長速率受Al陽離子的濃度梯度的影響,一旦Al陽離子的遷移使表面達(dá)到了形成γ-Al2O3的Al離子濃度,表面就會形成γ-Al2O3,此時,氧就開始沿著晶界擴(kuò)散進(jìn)入內(nèi)部。在500°C以內(nèi),鋁的氧化層隨著溫度的升高經(jīng)歷了一個由無定型Al2O3向γ-Al2O3轉(zhuǎn)變的過程,這一過程被Snijders[27]描述為“氧離子逐步在一個類球形網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)中隨機(jī)密堆積”的過程。在氧化層的轉(zhuǎn)變過程中,Al陽離子并沒有出現(xiàn)重新分布,Al與O的分布一直是介于[AlO4]和[AlO6]之間。純鋁的氧化主要受到離子遷移速度的影響,而遷移速度又與溫度和離子濃度相關(guān)。因此為了加快純鋁的氧化過程,可以通過升溫來加快離子的遷移速度,也可以通過增加外部的氧濃度來提高內(nèi)外的電勢差,從而促進(jìn)氧化過程的進(jìn)行。
圖7.3和7.4分別給出了利用Matlab計算的顆粒溫度隨反應(yīng)時間變化的關(guān)系。從圖中可以看出顆粒的溫度變化與建模中的三個階段分別相對應(yīng),顆粒先經(jīng)過低溫氧化緩慢升溫,隨后熔化溫度保持不變最后由于異相反應(yīng)放熱快速升溫。從圖7.3和7.4可以看出,隨著樣品粒徑的增大,反應(yīng)速率降低,反應(yīng)時間明顯延長,而隨著環(huán)境溫度的增加,反應(yīng)速率加快,反應(yīng)時間大幅縮短。根據(jù)數(shù)學(xué)建模中的結(jié)果可知,顆粒的對流換熱、輻射換熱和異相反應(yīng)生成熱均與粒徑成反比,與環(huán)境溫度成正比,隨著粒徑的增加,環(huán)境溫度的降低,單位體積的顆粒的吸熱減少,升溫緩慢,故點火延遲時間要長。圖7.4樣品A在不同環(huán)境溫度下的顆粒溫度隨時間變化
【學(xué)位授予單位】:浙江大學(xué)
【學(xué)位級別】:博士
【學(xué)位授予年份】:2019
【分類號】:V512
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,本文編號:2691817
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