射頻波電流驅(qū)動控制撕裂模研究
發(fā)布時間:2021-11-24 04:33
撕裂;蛐陆(jīng)典撕裂模會破壞等離子體能量約束性能。通過改善當?shù)氐牡入x子體電流密度分布和/或補償磁島內(nèi)丟失的自舉電流,它們可以被局域的射頻波電流驅(qū)動所穩(wěn)定。由于電子回旋波具有比較窄的束和很強的吸收,使得它的功率沉積比較局域,適合用來穩(wěn)定撕裂模。在很多托卡馬克實驗中己經(jīng)成功實現(xiàn)了 ECCD穩(wěn)定撕裂;蛐陆(jīng)典撕裂模。本文主要研究了射頻波電流驅(qū)動控制撕裂模。第一章回顧了驅(qū)動撕裂模和新經(jīng)典撕裂模的物理機制以及采用射頻波電流驅(qū)動控制它們。第二章中依據(jù)約化磁流體方程,數(shù)值研究了 ECCD穩(wěn)定新經(jīng)典撕裂模,重點放在模穩(wěn)定所需要的驅(qū)動電流大小。NTM的穩(wěn)定所需要的最小驅(qū)動電流與一些參數(shù)有關(guān),包括當?shù)刈耘e電流密度、驅(qū)動電流徑向?qū)挾、相對于有理面rf電流的徑向沉積位置以及加入ECCD時的磁島寬度。通過擬合數(shù)值模擬得到的結(jié)果,得到了最小驅(qū)動電流與這些參數(shù)的依賴關(guān)系。根據(jù)這些擬合表達式,我們得到了 ITER中模穩(wěn)定所需的調(diào)制電子回旋波功率。等離子體湍流尤其是邊界密度擾動會展寬ITER中所注入的微波束寬度。假設(shè)邊界密度擾動使ECW沉積寬度變?yōu)?.05a-O.1aa(a是等離子體小半徑),我們數(shù)值結(jié)果發(fā)現(xiàn)所需的調(diào)制E...
【文章來源】:中國科學技術(shù)大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:115 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2撕裂模線性階段一階量與等離子體渦旋(White,?1986)
D.在共振面處預(yù)加入ECCD??在JT-60U上證實了在3/2NTM出現(xiàn)之前,通過在有理面處預(yù)先加入??(preemptive)電子回旋波,可以延緩3/2模的出現(xiàn)[9]-93]。圖1.4為JT-60U的??實驗情況。在NTM出現(xiàn)之前加入ECCD,被激發(fā)后的模式只增長到很小的幅??度,而在磁島飽和后加入相同大小的射頻波功率,NTM的幅度并不能被減小到??這么小的值。與NTM出現(xiàn)之后加入ECCD相同,預(yù)加入ECCD同樣要求射頻??波能準確沉積到有理面位置。依據(jù)之前的放電情況,預(yù)估最佳的發(fā)射鏡子角。??在DUI-D上也開展了類似的實驗,通過在有理面處預(yù)加入ECCD完全避免??了?3/2?NTM的激發(fā)[94]。當P值接近理想P極限時,可以完全避免3/2模的出現(xiàn)。??在模被激發(fā)之前,采用完全的實時平衡重建來估計共振有理面位置,通過發(fā)射??鏡系統(tǒng)來控制ECCD沉積位置。在存在已激發(fā)3/2?NTM時
??在共振有理面內(nèi)側(cè)的負電流密度梯度是解穩(wěn)的,圖1.6顯示了具有這種特征的??電流密度分布。對于低q破裂,陡的電流密度梯度,一部分是由于鋸齒震蕩對&??的限制。這會導致在中心區(qū)域電流密度的展平,以及在中心區(qū)域外的地方電流??密度梯度的增加。如果電流增加足夠快,以至于沒有足夠的時間去擴散到等離??子體中,電流分布具有趨膚電流的形式,這會進一步增加邊界等離子體處的電??流梯度。當有理面向等離子體邊界移動時,便會感受到解穩(wěn)的電流密度梯度。??對十密度極限破裂,邊界面輻射增加會導致等離子體密度分布的收縮?客鈧(cè)??區(qū)域約束的損失也會導致電流密度分布的收縮,而不穩(wěn)定性本身的增長會增加??約束損失并進一步提高這個效應(yīng)。??在撕裂模的增長過程中
本文編號:3515242
【文章來源】:中國科學技術(shù)大學安徽省 211工程院校 985工程院校
【文章頁數(shù)】:115 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.2撕裂模線性階段一階量與等離子體渦旋(White,?1986)
D.在共振面處預(yù)加入ECCD??在JT-60U上證實了在3/2NTM出現(xiàn)之前,通過在有理面處預(yù)先加入??(preemptive)電子回旋波,可以延緩3/2模的出現(xiàn)[9]-93]。圖1.4為JT-60U的??實驗情況。在NTM出現(xiàn)之前加入ECCD,被激發(fā)后的模式只增長到很小的幅??度,而在磁島飽和后加入相同大小的射頻波功率,NTM的幅度并不能被減小到??這么小的值。與NTM出現(xiàn)之后加入ECCD相同,預(yù)加入ECCD同樣要求射頻??波能準確沉積到有理面位置。依據(jù)之前的放電情況,預(yù)估最佳的發(fā)射鏡子角。??在DUI-D上也開展了類似的實驗,通過在有理面處預(yù)加入ECCD完全避免??了?3/2?NTM的激發(fā)[94]。當P值接近理想P極限時,可以完全避免3/2模的出現(xiàn)。??在模被激發(fā)之前,采用完全的實時平衡重建來估計共振有理面位置,通過發(fā)射??鏡系統(tǒng)來控制ECCD沉積位置。在存在已激發(fā)3/2?NTM時
??在共振有理面內(nèi)側(cè)的負電流密度梯度是解穩(wěn)的,圖1.6顯示了具有這種特征的??電流密度分布。對于低q破裂,陡的電流密度梯度,一部分是由于鋸齒震蕩對&??的限制。這會導致在中心區(qū)域電流密度的展平,以及在中心區(qū)域外的地方電流??密度梯度的增加。如果電流增加足夠快,以至于沒有足夠的時間去擴散到等離??子體中,電流分布具有趨膚電流的形式,這會進一步增加邊界等離子體處的電??流梯度。當有理面向等離子體邊界移動時,便會感受到解穩(wěn)的電流密度梯度。??對十密度極限破裂,邊界面輻射增加會導致等離子體密度分布的收縮?客鈧(cè)??區(qū)域約束的損失也會導致電流密度分布的收縮,而不穩(wěn)定性本身的增長會增加??約束損失并進一步提高這個效應(yīng)。??在撕裂模的增長過程中
本文編號:3515242
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