雙撕裂模不穩(wěn)定性是反磁剪切磁場中一種重要的磁流體不穩(wěn)定性,他會(huì)破壞等離子體的平衡,導(dǎo)致等離子體放電中斷甚至損壞裝置的真空壁;同時(shí)托卡馬克等離子體中通常存在環(huán)向轉(zhuǎn)動(dòng),環(huán)向轉(zhuǎn)動(dòng)對多種磁流體不穩(wěn)定性都有致穩(wěn)或解穩(wěn)的效果。因此研究托卡馬克等離子體環(huán)向轉(zhuǎn)動(dòng)對雙撕裂模演變的影響有重要的意義。本論文在圓柱位形中,應(yīng)用磁流體力學(xué)方程組,導(dǎo)出環(huán)向轉(zhuǎn)動(dòng)的雙撕裂模演化方程,數(shù)值模擬研究了環(huán)向轉(zhuǎn)動(dòng)對雙撕裂模的抑制效果。本文研究了等離子體環(huán)向轉(zhuǎn)動(dòng)速度與剪切大小對雙撕裂模的影響,結(jié)果表明托卡馬克中的等離子體環(huán)向轉(zhuǎn)動(dòng),無論其是否存在流剪切,都可以延緩或抑制雙撕裂模的發(fā)展,同時(shí),隨著環(huán)向轉(zhuǎn)動(dòng)的大小和剪切率的增大,其對雙撕裂模的抑制效果越來越好;并且,相對于環(huán)向轉(zhuǎn)動(dòng)的速度大小本身而言,其剪切對雙撕裂模的抑制效果更為顯著。并且環(huán)向轉(zhuǎn)動(dòng)隨著其在兩有理面上或者兩有理面之間的剪切的增大,抑制的效果增強(qiáng)。當(dāng)剪切較小時(shí),在兩有理面上的速度差不變的情況下,兩種剪切流對雙撕裂模的抑制效果幾乎一樣;而當(dāng)剪切較大時(shí),在有理面上與有理面之間均存在剪切的環(huán)向剪切流對雙撕裂模的抑制效果明顯好于只在兩有理面之間存在剪切的情況。本文進(jìn)一步研究了等離...

【文章頁數(shù)】：59 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

圖1.1托卡馬克示意圖

與有機(jī)物和無機(jī)物上沉淀涂層處理等。更重要的是它在電腦芯片中讓網(wǎng)絡(luò)時(shí)代成為現(xiàn)實(shí)。而高溫等離子體只有在溫度足夠高的情況下聚變是解決未來能源的主要選擇，而研究高溫等離子體的目的就是變。而托卡馬克是磁約束實(shí)驗(yàn)裝置中最具發(fā)展前途的，同時(shí)也是目泛的磁約束裝置。馬克（圖1.1）是一種利用磁約....

圖1.2托卡馬克示意圖

南華大學(xué)碩士學(xué)位論文衡是穩(wěn)定的，那么等離子體的磁流體力學(xué)平衡條件為：u)01pjBc用j和B點(diǎn)乘式的兩邊，可得：p0p0馬克示意圖如圖1.2所示，它的磁場位形是一種軸對稱螺旋磁場，所產(chǎn)生的沿大環(huán)方向的環(huán)向磁場B和由等離子體電流J產(chǎn)....

圖1.3磁場重聯(lián)示意圖[10]

初始電流片將磁場與等離子體分隔成為具有反平行磁場分量的兩個(gè)區(qū)域，當(dāng)t=t1>0時(shí)，兩側(cè)的等離子體向電流片靠攏，同時(shí)電流片兩側(cè)方向相反的磁力線互相靠近。當(dāng)t=t2>t1時(shí)，反向磁力線在X點(diǎn)出彼此接觸。由于某種擴(kuò)散機(jī)制，在t=t3>t2時(shí)，初始的磁力線斷開并重新聯(lián)結(jié)成兩條新....

圖1.4磁島結(jié)構(gòu)示意圖[12]

圖1.4非單調(diào)安全因子分布對約束的改善表現(xiàn)為在這種位形中可以產(chǎn)生內(nèi)部輸運(yùn)壘和外部輸運(yùn)壘的等離子體放電是近二十年來托卡馬克實(shí)。先進(jìn)托卡馬克的內(nèi)部輸運(yùn)壘一般認(rèn)為是由極向剪切流輸運(yùn)壘多形成于低q有理面附近，并且且伴隨著MHD擾]。因此研究雙撕裂模和內(nèi)部輸運(yùn)類之間的關(guān)系，可以更

本文編號(hào)：3994710