作為Ⅱ-Ⅵ化合物半導(dǎo)體材料的典型代表,CdZnTe晶體由于其高電阻率、高原子序數(shù)以及室溫下優(yōu)異的能量分辨率性能,在核輻射能譜檢測(cè)和成像探測(cè)領(lǐng)域引起了國(guó)內(nèi)外研究機(jī)構(gòu)廣泛的關(guān)注,被廣泛應(yīng)用于核物理診斷、核醫(yī)學(xué)成像、天體物理等相關(guān)研究領(lǐng)域。首先,本文分析并總結(jié)了目前國(guó)內(nèi)外CdZnTe探測(cè)器的研究現(xiàn)狀,并對(duì)CdZnTe像素陣列探測(cè)器的工作原理和探測(cè)系統(tǒng)進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹,引出了探測(cè)器信號(hào)讀出電子學(xué)系統(tǒng),確定了本文的主要研究工作。其次,對(duì)探測(cè)系統(tǒng)前端電子學(xué)電路的信號(hào)特點(diǎn)展開(kāi)研究。由于探測(cè)器輸出瞬時(shí)微弱脈沖電信號(hào),時(shí)間極短,因此本文對(duì)前置放大器的基本原理進(jìn)行了介紹。結(jié)合實(shí)際CdZnTe探測(cè)器輸出信號(hào)的特點(diǎn),設(shè)計(jì)并制備了適用于面元像素CdZnTe探測(cè)器的電荷靈敏前置放大電路,該放大器對(duì)于傳統(tǒng)電荷靈敏前置放大器靈敏度更高,同時(shí)在不改變反饋電阻和反饋電容的情況下可以改變輸出信號(hào)的衰減時(shí)間常數(shù)。通過(guò)搭建實(shí)驗(yàn)平臺(tái),分析得出所設(shè)計(jì)的電荷靈敏前置放大器輸出信號(hào)上升時(shí)間約為10ns,下降時(shí)間約為150μs。通過(guò)與A250和142A兩款電荷靈敏前置放大器對(duì)比分析得出,本文所設(shè)計(jì)的電荷靈敏前置放大器有一定的應(yīng)用前景。然... 

【文章來(lái)源】：重慶郵電大學(xué)重慶市

【文章頁(yè)數(shù)】：84 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

Michigan大學(xué)制作的CdZnTe探測(cè)器

研制出的 CdZnTe 探測(cè)器的能譜分辨率達(dá)到 0.51%，如圖 1.1 Michigan 大學(xué)制作的 CdZnTe 探測(cè)器哈佛史密森尼天體物理研究中心運(yùn)用IDEAS - XAIM3.2 128×128 像素的 CdZnTe 探測(cè)器系統(tǒng)，在 NASA 的 EX得了優(yōu)異的成績(jī)，其能量分辨率約為 5%[8]，如圖 1.2 所

大學(xué)碩士學(xué)位論文 第 2 章 CdZnTe 像素陣列輻射探測(cè)器電極之間會(huì)出現(xiàn)“小像素效應(yīng)”。當(dāng)像素電極的大小選擇合適此類型結(jié)構(gòu)的探測(cè)器擁有單極性特性。當(dāng)載流子在探測(cè)器內(nèi)部產(chǎn)生運(yùn)上都會(huì)產(chǎn)生微弱的電荷信號(hào)。每個(gè)像素電極上都有一個(gè)獨(dú)立的信號(hào)通道上都具有良好的信噪比。正是由于以上特點(diǎn)，才使得像素陣列探測(cè)能譜性能，擁有優(yōu)異的空間分辨率和比較高的探測(cè)效率，像素陣列探世界各國(guó)科研人員研究的熱點(diǎn)。測(cè)器的等效電路模型nTe 像素陣列輻射探測(cè)器的等效電容模型可以用圖 2.3 表示[34]。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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碩士論文
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[2]碲鋅鎘探測(cè)器的制備及性能研究[D]. 韋永林.四川大學(xué) 2005



本文編號(hào)：3016588