相較于藍光、紅光LED而言,綠光、黃光LED目前的發(fā)光效率還處于較低水平,這已是當下制約高品質(zhì)全光譜LED照明光源發(fā)展的瓶頸。解決綠光、黃光LED發(fā)光效率低下難題需要認清LED有源區(qū)中的發(fā)光機理。與多量子阱LED相比,單量子阱結構LED不存在不同量子阱間發(fā)光效率差異的困擾,這為研究LED有源區(qū)中的發(fā)光機理提供了便利。因此,本文將Si襯底GaN基單量子阱綠光LED有源區(qū)作為主要研究對象。同時考慮到,V形坑作為量子阱有源區(qū)中存在的一種缺陷,有源區(qū)的任何改造變動勢必會影響其結構形貌特征,而V形坑與LED器件光電性能間又有著千絲萬縷的聯(lián)系�；诖�,本文將V形坑結構作為一個重要變量,圍繞能夠影響V形坑結構的一些有源區(qū)結構及生長參數(shù)展開研究,取得的主要成果如下:首先獲得了高質(zhì)量高In組分準備層的制備方法。通過不同結構、不同外延生長方法探索了準備層In組分并入、晶體質(zhì)量和表面形貌的影響因素。結果顯示,在一定范圍內(nèi),生長速率越快、銦鎵比越高,則準備層In組分并入越多,表面V形坑尺寸越小。同時還發(fā)現(xiàn),在InGaN層In組分相同情況下,InGaN/GaN多層結構準備層表面要優(yōu)于InGaN單層結構準備層表面... 

【文章來源】：南昌大學江西省 211工程院校

【文章頁數(shù)】：130 頁

【學位級別】：博士

【部分圖文】：

白光LED幾種合成方法

基 LED 可以有效減小量子阱有源區(qū)極這種非極性和半極性的綠光、黃光 In但極性或半極性面 LED 有源區(qū)量子阱對晶向和生長條件的選擇極為苛刻。光 LED 有源區(qū)晶體質(zhì)量退化和極化電中的 V 形坑基 LED 器件中常見的一種缺陷。一般角金字塔狀，六個側(cè)面為{ }10 11面，

8(a) (c) (d)圖 1.9 （a）V 形坑 APT 分析圖[37]（b）（c）（d）側(cè)壁量子阱和平臺量子阱區(qū)域相應 In 組分分布。其中，（a）圖中的紫色代表 In，黃色代表 Ga，綠色代表 Ni。紅色圓柱區(qū)域?qū)脚_量子阱，該區(qū)域 In 分布為圖（b）；綠色圓柱區(qū)域?qū)趥?cè)壁量了阱，該區(qū)域 In 分布為圖（c）；藍色圓柱區(qū)域?qū)?V 形坑中心附近，該區(qū)域 In 分布為圖（d）


本文編號：2912101