本文關(guān)鍵詞：GaN基白光LED電極的失效機制

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【摘要】：對負電極脫落造成白光LED失效進行了研究。結(jié)合掃描電子顯微鏡(SEM)和能譜分析(EDS)對退化樣品芯片進行了表面形貌表征和微區(qū)成分分析。SEM觀察到退化樣品負極脫落處表面粗糙不平,且透明導(dǎo)電薄膜存在顆粒狀結(jié)晶。經(jīng)EDS檢測發(fā)現(xiàn)負極脫落處存在腐蝕性氯元素,并在封裝膠中檢測出氯。分析認為,封裝膠中殘留的氯離子與負極中Al層發(fā)生的電化學(xué)腐蝕是致使樣品失效的主要原因。
【作者單位】： 華南理工大學(xué)高分子光電材料與器件研究所;華南理工大學(xué)發(fā)光材料與器件國家重點實驗室;廣東金鑒檢測科技有限公司;
【關(guān)鍵詞】： LED 失效分析 電極 腐蝕
【基金】：國家文化科技提升計劃(GJWHKJTSXM20154464) 廣東省科技計劃(2013B090600048,2015B010134001,2015B010127004,2015YT02C093,201604010006)資助項目
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 1引言目前以Ga N基為代表的Ⅲ-Ⅴ族寬帶隙半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于藍光和白光發(fā)光二極管(LED)。Ga N基LED由于其能耗小、壽命長、光譜范圍寬、綠色環(huán)保等優(yōu)點,在照明顯示等領(lǐng)域具有相當(dāng)誘人的前景[1],與此同時LED的可靠性也成為研究的熱點[2]。近年來,隨著材料、散熱及封裝技術(shù)的進步

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