為您找到約300篇文章，耗時0.0159秒，數(shù)據(jù)庫總量為384,903,566篇。
-
71. 一種應(yīng)用于脈沖功率領(lǐng)域的4H-SiC GTO晶閘管的設(shè)計
-
-
72. 寬帶隙半導(dǎo)體4H-SiC核輻射探測器的設(shè)計與仿真
-
-
73. 基于4H-SiC雪崩光電二極管的日盲紫外單光子探測系統(tǒng)設(shè)計
-
-
74. 4H-SiC sam-APD結(jié)構(gòu)紫外光電探測器的設(shè)計與制備
-
-
75. 高溫濕氧工藝4H-SiC MOS電容與SBD的質(zhì)子輻照效應(yīng)研究
-
-
76. TiC/n型4H-SiC氮?dú)涞入x子體處理與歐姆接觸關(guān)系的研究
-
-
77. SiO 2 /4H-SiC(0001)界面碳二聚體缺陷鈍化的第一性原理研究
-
-
78. N-B-Al共摻熒光4H-SiC施主受主對發(fā)光性能研究
-
-
79. 面向惡劣環(huán)境的基于AlN/4H-SiC材料的聲表面波諧振器設(shè)計與制作（英文）
-
-
80. 氫鈍化4H-SiC（0001）表面本征點缺陷及其吸附金屬（Ag、Mo）后的結(jié)構(gòu)與電子性質(zhì)理論研究
-
