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71. 4H-SiC平面型和溝槽型MOSFET高低溫下的特性（英文）
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72. 基于4H-SiC雪崩光電二極管的日盲紫外單光子探測系統(tǒng)設(shè)計(jì)
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73. 4H-SiC sam-APD結(jié)構(gòu)紫外光電探測器的設(shè)計(jì)與制備
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74. 高溫濕氧工藝4H-SiC MOS電容與SBD的質(zhì)子輻照效應(yīng)研究
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75. TiC/n型4H-SiC氮?dú)涞入x子體處理與歐姆接觸關(guān)系的研究
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76. SiO 2 /4H-SiC(0001)界面碳二聚體缺陷鈍化的第一性原理研究
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77. N-B-Al共摻熒光4H-SiC施主受主對(duì)發(fā)光性能研究
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78. 面向惡劣環(huán)境的基于AlN/4H-SiC材料的聲表面波諧振器設(shè)計(jì)與制作（英文）
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79. 4H-SiC MOSFETs SiC-SiO 2 界面附近陷阱俘獲和1/f噪聲相關(guān)性研究
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80. 氫鈍化4H-SiC（0001）表面本征點(diǎn)缺陷及其吸附金屬（Ag、Mo）后的結(jié)構(gòu)與電子性質(zhì)理論研究
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