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701.
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基LED及ZnO納米線陣列的制備和特性研究
702. 納米柱高度對
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基綠光LED光致發(fā)光譜的影響
703. 不同封裝材料的中功率
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基LED器件老化分析(英文)
704. SiC襯底上
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基藍光LED的MOCVD外延生長研究
705. 金屬有機物化學(xué)氣相沉積同質(zhì)外延
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薄膜表面形貌的改善
706.
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高電子遷移率晶體管強電磁脈沖損傷效應(yīng)與機理
707. 基于
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納米線鐵電場效應(yīng)晶體管及相關(guān)電性能
708. 基于LPCVD-SiNx介質(zhì)的
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基器件界面特性研究
709. Ka波段
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HEMT單片集成單刀雙擲開關(guān)的設(shè)計
710. 表面等離激元提高
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基材料與器件發(fā)光效率研究
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