本文關(guān)鍵詞：納米柱高度對GaN基綠光LED光致發(fā)光譜的影響

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【摘要】：納米柱結(jié)構(gòu)是釋放高In組分InGaN/GaN綠光LED量子阱層應(yīng)變的有效方法。本文采用自組裝的聚苯乙烯微球掩模、感應(yīng)耦合等離子體干法刻蝕和KOH溶液的濕法腐蝕,在GaN基綠光LED外延片上制備了3種高度的納米柱結(jié)構(gòu),通過掃描電子顯微鏡觀察納米柱結(jié)構(gòu)的形貌,并測試了常溫和10 K低溫時的光致發(fā)光譜(PL)。結(jié)果表明:應(yīng)變釋放對壓電場的影響顯著,使得納米柱結(jié)構(gòu)樣品的內(nèi)量子效率(IQE)提高,PL譜峰值波長藍移;應(yīng)變在量子阱中的不均勻分布還使得PL譜半高全寬(FWHM)展寬。與普通平面結(jié)構(gòu)相比,高度為747 nm的納米柱結(jié)構(gòu)可使得IQE提升917%,PL譜峰值波長藍移18 nm、FWHM展寬7 nm。另外,納米柱結(jié)構(gòu)樣品的有源區(qū)有效面積減小可使得PL譜FWHM減小。
【作者單位】： 華南理工大學(xué)廣東省光電工程技術(shù)研究開發(fā)中心物理與光電學(xué)院;廣州現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)技術(shù)研究院;
【關(guān)鍵詞】： GaN基LED 綠光LED 納米柱結(jié)構(gòu) 光致發(fā)光譜
【基金】：“863”國家高技術(shù)研究發(fā)展計劃(2014AA032609) 國家自然科學(xué)基金(61404050) 廣東省科技計劃(2014B010119002,2016A010103011) 廣州市珠江科技新星專項(201610010038) 中央高�；究蒲袠I(yè)務(wù)費專項資金(2015ZM131)資助項目
【分類號】：TN312.8
【正文快照】： 1引言為實現(xiàn)綠光LED,有源層往往需要采用較高In組分的In Ga N量子阱層。而隨著In組分的增加,In-Ga N阱層和Ga N壘層之間的晶格失配增大,使得量子阱層存在較大的應(yīng)變。這一方面導(dǎo)致有源區(qū)的缺陷密度提高,增加了非輻射復(fù)合中心;另一方面由于極化電場導(dǎo)致能帶傾斜,降低了電子-空

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本文編號：1026301