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61. GaAs單片集成650GHz三倍頻器研究
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62. GaAs陣列光電陰極的結(jié)構(gòu)設(shè)計與制備研究
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63. GaAs基VCSEL器件的ICP刻蝕工藝研究
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64. 應(yīng)用于納米激光的GaAs納米線制備工藝研究
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65. 二維GaAs電子結(jié)構(gòu)和光學(xué)性質(zhì)的理論研究
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66. 超快光脈沖照射GaAs晶體產(chǎn)生的干涉環(huán)
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67. GaAs單層性能的理論研究并設(shè)計新單層
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68. GaAlAs/GaAs真空光電轉(zhuǎn)換器件的轉(zhuǎn)化效率研究
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69. InGaAs/GaAs PHEMT器件模型的建立與優(yōu)化
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70. 國產(chǎn)GaAs微波單片集成電路的氫中毒效應(yīng)
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