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51. 4H-SiC結(jié)勢(shì)壘肖特基二極管制備及常溫離子注入研究
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52. 超高壓4H-SiC PiN二極管的設(shè)計(jì)及其特性研究
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53. 半絕緣4H-SiC光激發(fā)載流子濃度的Raman光譜研究
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54. 高功率4H-SiC JBS/SBD器件可靠性問題研究
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55. 功率器件用n/p型4H-SiC同時(shí)形成歐姆接觸工藝
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56. 抑制4H-SiC功率器件雙極型退化的復(fù)合提高層設(shè)計(jì)
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57. 高壓4H-SiC JBS功率整流器的設(shè)計(jì)優(yōu)化與實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證
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58. 晶圓各向異性對(duì)4H-SiC基VDMOSFET單粒子效應(yīng)的影響
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59. 埋柵4H-SiC靜電感應(yīng)晶體管結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)優(yōu)化和特性研究
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60. 基于4H-SiC PiN的橋式整流器關(guān)鍵工藝與高溫特性研究
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