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581. 航天用GaN基640×8元紫外焦平面探測(cè)器讀出電路研究與設(shè)計(jì)
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582. AlGaN電子阻擋層對(duì)Si襯底GaN基綠光LED性能影響的研究
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583. InGaN/GaN發(fā)光二極管的數(shù)學(xué)物理模型和特性及最優(yōu)驅(qū)動(dòng)電流研究
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584. 氮化鎵（GaN）表面微納米結(jié)構(gòu)在界面改性和光電探測(cè)領(lǐng)域中的應(yīng)用
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585. 極性可控的GaN與ZnO薄膜的MOCVD外延生長(zhǎng)及其組合發(fā)光器件研究
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586. Si襯底上大功率GaN基LED的外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與器件制備
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587. 基于GaN-LED與光柵的集成光波導(dǎo)的設(shè)計(jì)與性能分析
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588. 帶柵場(chǎng)板和新型漏場(chǎng)板的AlGaN/GaN HEMT器件耐壓特性研究
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589. 非極性a面p型AlGaN/GaN超晶格MOCVD生長(zhǎng)及特性表征
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590. Simulation study of InAlN/GaN high-electron mobility transis
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