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41. 電化學(xué)刻蝕4H-SiC納米陣列及其光電催化性能
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42. 4H-SiC MOSFET器件新結(jié)構(gòu)及反向恢復(fù)特性研究
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43. 4H-SiC MOS器件柵氧化層時變擊穿特性研究
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44. 功率4H-SiC UMOSFET單粒子燒毀及加固結(jié)構(gòu)研究
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45. Ti/Al/4H-SiC MOSFET歐姆接觸電極研究
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46. 光柵結(jié)構(gòu)4H-SiC表面聲子激元的激發(fā)及調(diào)諧
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47. 氧化劑濃度對4H-SiC化學(xué)機械拋光效果的影響
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48. 高性能4H-SiC BJT器件設(shè)計及制備技術(shù)研究
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49. 4H-SiC中Al離子注入及其二次高溫退火技術(shù)
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50. 4H-SiC肖特基二極管及結(jié)終端技術(shù)研究
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