本文關(guān)鍵詞：氧化劑濃度對(duì)4H-SiC化學(xué)機(jī)械拋光效果的影響

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【摘要】：以4H-SiC(0001)面為研究對(duì)象,采用原子力顯微鏡和X光電子能譜研究了拋光晶片表面的形貌和成分,討論了氧化劑濃度對(duì)SiC化學(xué)機(jī)械拋光去除速率以及微觀形貌的影響。結(jié)果表明,在化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程中SiC晶片的表面會(huì)生成二氧化硅,拋光液中氧化劑的濃度直接影響SiC的氧化進(jìn)程,增大氧化劑的濃度可以顯著提高拋光去除速率,當(dāng)氧化劑濃度為0.15mol/L時(shí),拋光去除速率可以達(dá)到約1 200nm/h,同時(shí)可以獲得一個(gè)無(wú)劃痕、超光滑、具有原子臺(tái)階構(gòu)型的拋光表面,表面粗糙度值Ra低至0.0853nm。
【作者單位】： 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十六研究所;
【分類號(hào)】：TN305.2
【正文快照】： 0引言單晶碳化硅(SiC)作為第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有一些優(yōu)越的性能,如高電子飽和遷移率和優(yōu)良的熱學(xué)特性,在制造耐高溫、抗輻射的高頻大功率器件方面具有廣闊的應(yīng)用前景,已成為國(guó)際關(guān)注的焦點(diǎn)。在下一代功率器件的制造和外延生長(zhǎng)中,對(duì)SiC單晶材料最終的表面質(zhì)量有嚴(yán)格的要

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