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31. 4H-SiC MOSFET器件新結(jié)構(gòu)及反向恢復(fù)特性研究
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32. 4H-SiC MOS器件柵氧化層時(shí)變擊穿特性研究
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33. 功率4H-SiC UMOSFET單粒子燒毀及加固結(jié)構(gòu)研究
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34. Ti/Al/4H-SiC MOSFET歐姆接觸電極研究
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35. 光柵結(jié)構(gòu)4H-SiC表面聲子激元的激發(fā)及調(diào)諧
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36. 氧化劑濃度對(duì)4H-SiC化學(xué)機(jī)械拋光效果的影響
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37. 高性能4H-SiC BJT器件設(shè)計(jì)及制備技術(shù)研究
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38. 4H-SiC中Al離子注入及其二次高溫退火技術(shù)
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39. 4H-SiC肖特基二極管及結(jié)終端技術(shù)研究
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40. 4H-SiC PiN功率二極管研制及其關(guān)鍵技術(shù)研究
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