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321. S吸附對Si
C
表面不同重構(gòu)結(jié)構(gòu)的影響
322. 中高壓Si
C
IGBT智能柵極驅(qū)動研究及應(yīng)用
323. 基于耦合電感的Si
C
MOSFET并聯(lián)主動均流
324. 基于芬頓反應(yīng)的單晶Si
C
化學(xué)機械拋光液研究
325. 一種新型Si
C
SBD的高溫反向恢復(fù)特性
326. Si
C
肖特基二極管的物理模型參數(shù)提取
327. Si
C
纖維新型界面層的制備及性能研究
328. 片狀碳源微波合成Si
C
粉體的工藝及機理研究
329. 半導(dǎo)體Si
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材料及像素探測器研究
330. 硅溶膠對單晶Si
C
化學(xué)機械拋光影響研究
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