【摘要】：碳化硅(SiC)作為新型材料,在高溫、高頻和大功率等領域中具有很大的潛力。SiC功率半導體器件在電力電子電路中應用廣泛,提取精確的物理模型參數對電力電子電路設計尤為重要。在對SiC肖特基二極管動態(tài)特性及其物理模型的分析基礎上,確定了其關鍵的模型參數。結合Matlab和Saber仿真軟件,對仿真波形和實驗波形進行了對比,并以仿真波形和實驗波形的相關系數及迭代次數為目標函數來改進粒子群算法,以改進粒子群優(yōu)化(IPSO)算法對SiC肖特基二極管內部關鍵模型參數進行優(yōu)化辨識。最后,針對IDW30G65C5型號的整流二極管,提取了精確的模型參數,并驗證了其有效性。
【作者單位】： 西華大學電氣與電子信息學院;
【基金】：四川省電力電子節(jié)能技術與裝備重點實驗室資助項目(SZJJ2015-064) 太陽能技術集成及應用推廣四川省高校重點實驗室資助項目(TYN2015-01,09)
【分類號】：TN304.24;TN311.7

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