中高壓SiC IGBT智能柵極驅(qū)動研究及應(yīng)用
[Abstract]:This paper presents an active medium voltage gate drive circuit with current source type intelligent anti-electromagnetic interference (EMI). The drive circuit is designed by the integration of traditional drive chip, which can not only provide advanced gate drive. And has the isolation protection and the condition monitoring function. A 15 kV medium voltage SiC insulated gate bipolar transistor (IGBT) device is used to design a dual pulse test platform to compare with the traditional voltage source drive. The test results show that the proposed current source drive can effectively reduce the loss. At the same time, it can improve the rate of current change, and has the advantages of fast turn-off and reducing the response time of protection.
【作者單位】： 南京信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院;武漢華辰智算信息技術(shù)研究院;
【基金】：國家自然科學(xué)基金(U1510128,51177067,5060-7007)~~
【分類號】：TN322.8
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，本文編號：2306756
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