發(fā)布時(shí)間：2018-11-02 19:35

【摘要】：提出一種電流源型智能化抗電磁干擾(EMI)的有源中壓柵極驅(qū)動(dòng)電路,該驅(qū)動(dòng)電路采用傳統(tǒng)驅(qū)動(dòng)芯片集成設(shè)計(jì)而來,不僅可提供先進(jìn)的柵極驅(qū)動(dòng),且具備隔離保護(hù)和狀態(tài)監(jiān)測(cè)功能。采用15 kV中壓SiC絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)器件設(shè)計(jì)雙脈沖測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行對(duì)比傳統(tǒng)電壓源型驅(qū)動(dòng)的實(shí)驗(yàn),測(cè)試結(jié)果顯示所提電流源型驅(qū)動(dòng)在有效降低損耗的情況下,兼顧改善電流變化率,并具備快速關(guān)斷和降低保護(hù)響應(yīng)時(shí)間的優(yōu)勢(shì)。
[Abstract]:This paper presents an active medium voltage gate drive circuit with current source type intelligent anti-electromagnetic interference (EMI). The drive circuit is designed by the integration of traditional drive chip, which can not only provide advanced gate drive. And has the isolation protection and the condition monitoring function. A 15 kV medium voltage SiC insulated gate bipolar transistor (IGBT) device is used to design a dual pulse test platform to compare with the traditional voltage source drive. The test results show that the proposed current source drive can effectively reduce the loss. At the same time, it can improve the rate of current change, and has the advantages of fast turn-off and reducing the response time of protection.
【作者單位】： 南京信息職業(yè)技術(shù)學(xué)院;武漢華辰智算信息技術(shù)研究院;
【基金】：國(guó)家自然科學(xué)基金(U1510128,51177067,5060-7007)~~
【分類號(hào)】：TN322.8

【相似文獻(xiàn)】

相關(guān)期刊論文 前10條

1 John Hargenrader;;應(yīng)用廣泛的車用柵極驅(qū)動(dòng)器[J];集成電路應(yīng)用;2013年05期

2 王志堅(jiān);;H橋IGBT柵極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)與應(yīng)用[J];太原科技;2009年01期

3 王瑞;;大功率IGBT柵極驅(qū)動(dòng)電路的研究[J];電氣自動(dòng)化;2014年03期

4 HenryE.Santana,冰;帶快速?gòu)?fù)位的光電隔離柵極驅(qū)動(dòng)[J];電子產(chǎn)品世界;1996年12期

5 李正中,孫德剛;高壓浮動(dòng)MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)[J];通信電源技術(shù);2003年03期

6 ;安捷倫推出符合軍用標(biāo)準(zhǔn)的IGBT柵極光電耦合器[J];電子元器件應(yīng)用;2004年09期

7 盛祖權(quán);張立;;IGBT模塊驅(qū)動(dòng)及保護(hù)技術(shù)[J];電力電子;2004年01期

8 韓英桃,吳斌,馬瑞卿;幾種IGBT與功率MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電路的比較與應(yīng)用[J];電子技術(shù)應(yīng)用;1996年06期

9 王可恕;IGBT的柵極驅(qū)動(dòng)[J];國(guó)外電子元器件;1996年05期

10 王世杰;IGBT柵極驅(qū)動(dòng)技術(shù)探討[J];光學(xué)精密工程;2000年01期

相關(guān)博士學(xué)位論文 前1條

1 祝靖;高壓柵極驅(qū)動(dòng)芯片可靠性研究[D];東南大學(xué);2015年

相關(guān)碩士學(xué)位論文 前6條

1 趙帥;一種雙通道柵極驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)[D];電子科技大學(xué);2015年

2 席赫;MOSFET并聯(lián)驅(qū)動(dòng)技術(shù)的研究[D];吉林大學(xué);2016年

3 王發(fā)剛;智能功率驅(qū)動(dòng)芯片IGBT柵極控制方法研究與實(shí)現(xiàn)[D];東南大學(xué);2016年

4 李雪陽(yáng);P型柵極高電子遷移率晶體管可靠性研究[D];浙江大學(xué);2017年

5 陳永淑;IGBT的可靠性模型研究[D];重慶大學(xué);2010年

6 陳功;大功率IGBT串并聯(lián)技術(shù)研究[D];湖南大學(xué);2014年

，

本文編號(hào)：2306756