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21. 基于InGaN/GaN量子阱光致晶體管的類腦器件研究
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22. InGaN/GaN發(fā)光二極管的數(shù)學(xué)物理模型和特性及最優(yōu)驅(qū)動(dòng)電流研究
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23. 利用選擇性外延法生長(zhǎng)單芯片雙波長(zhǎng)白光InGaN/GaN多量子阱結(jié)構(gòu)
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24. V形坑缺陷對(duì)GaN材料性能影響研究
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25. 三維陣列及V形坑提升GaN基LED光電性能的研究
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26. V坑對(duì)硅襯底GaN基長(zhǎng)波長(zhǎng)LED光電性能的影響
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27. 含V形坑的Si襯底GaN基單量子阱綠光LED有源區(qū)研究
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28. InGaN量子點(diǎn)的制備及應(yīng)變調(diào)控
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29. InGaN/AlGaInN量子阱發(fā)光特性的研究
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30. 分子束外延InGaN合金及其光電導(dǎo)行為研究
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