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261. 976nm大功率VCSEL的結(jié)構(gòu)計(jì)算與氧化工藝研究
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262. 基于YIG/NM異質(zhì)結(jié)的逆自旋霍爾效應(yīng)的研究
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263. 基于Innovus工具的28nm DDR PHY物理設(shè)計(jì)方法
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264. 90nm MOSFET晶體管微波建模與參數(shù)提取技術(shù)研究
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265. 308nm準(zhǔn)分子激光對(duì)豚鼠皮膚黑素細(xì)胞的影響
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266. 55nm CMOS低功耗射頻低噪聲放大器研究
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267. 基于65nm CMOS工藝的寬帶模擬基帶電路研究與設(shè)計(jì)
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268. 16nm工藝下GPU芯片STA方法的研究與驗(yàn)證
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269. NM煤炭集團(tuán)全面預(yù)算管理下的成本控制體系設(shè)計(jì)研究
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270. 32nm CMOS多米諾單元電路NBTI老化分析與防護(hù)
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