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211. GaAs pHEMT噪聲模型及低噪聲放大器設(shè)計(jì)研究

212. GaAs-PCSS多通道同步導(dǎo)通條件實(shí)驗(yàn)研究

213. 基于GaAs的Doherty功放與分布式放大器設(shè)計(jì)

214. 一種高性能X波段GaAs開關(guān)濾波器芯片

215. 電注入AlGaAs/GaAs NEA陰極的機(jī)理與制備工藝研究

216. InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的溫度電壓特性

217. 電學(xué)性能不反常的本征GaAs基InSb異質(zhì)外延研究

218. InGaAs/GaAs半導(dǎo)體量子點(diǎn)納米材料光學(xué)性質(zhì)研究

219. GaAs MESFET和HEMT器件的HPM電熱損傷效應(yīng)研究

220. 6英寸半絕緣GaAs單晶VGF和VB聯(lián)合生長技術(shù)