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gain ni gaas
191. 1053 nm
In
GaAs
/
GaAs
量子阱高速超輻射發(fā)光二極管的制備與性能研究
192.
GaAs
(Sb,Bi)半導(dǎo)體及其納米線體系的紅外光學(xué)和極化特性研究
193. 石墨相氮化碳和摻雜
GaAs
晶體電子結(jié)構(gòu)與激發(fā)態(tài)性質(zhì)的理論研究
194. 基于TD-LTE的
GaAs
HBT功率放大器及線性化技術(shù)研究
195. 直角棱柱型
GaAs
/Al
GaAs
核殼結(jié)構(gòu)納米線中的電子態(tài)及光吸收
196. 有外電場時
GaAs
/Al
GaAs
多量子阱中電子子帶間躍遷光吸收
197.
GaAs
光生載流子的超快動力學(xué)過程及其分幅成像應(yīng)用研究
198. 拋物勢對
GaAs
非對稱半指數(shù)量子阱中極化子基態(tài)能量的影響
199. 外界條件在電磁脈沖對
GaAs
贗高電子遷移率晶體管損傷過程中的影響
200. 飛秒激光輻照
GaAs
太陽能電池表面微納結(jié)構(gòu)制備對減反射性能影響研究
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