半導(dǎo)體納米線具有強(qiáng)量子束縛效應(yīng)和大比表面積,在提高電子器件集成度和光電轉(zhuǎn)換效率方面表現(xiàn)出優(yōu)勢(shì)。GaAs/Al_xGa_1-xAs量子阱體系中電子在導(dǎo)帶子帶間躍遷可實(shí)現(xiàn)中遠(yuǎn)紅外波段的光輻射和吸收,是制備此波段激光器和探測(cè)器的主流材料。GaAs/Al_xGa_1-xAs核殼結(jié)構(gòu)納米線（CSNW）中增強(qiáng)的激子壽命和快速光電效應(yīng),在下一代光電器件領(lǐng)域展示出應(yīng)用潛力。GaAs基III-V化合物的常溫穩(wěn)定相為閃鋅礦結(jié)構(gòu),有望制備高質(zhì)量的矩形結(jié)構(gòu)納米線。本文研究直角棱柱型GaAs/Al_xGa_1-xAs CSNW中的電子態(tài)和光吸收。首先,利用有限元差分法求解二維定態(tài)薛定諤方程,對(duì)比截面為方形和矩形的GaAs/Al_xGa_1-xAs CSNW中的電子態(tài),討論體系本征能級(jí)和本征波函數(shù)隨納米尺寸以及Al組分的變化。主要結(jié)論如下:1、方形截面CSNW中,體系的對(duì)稱性使得電子的第一激發(fā)能級(jí)存在兩個(gè)簡(jiǎn)并態(tài)。矩形截面情形,由于截面在xy平面內(nèi)的對(duì)稱性消... 

【文章來源】：內(nèi)蒙古大學(xué)內(nèi)蒙古自治區(qū) 211工程院校

【文章頁數(shù)】：45 頁

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【文章目錄】：
摘要
ABSTRACT
第一章 緒論
    1.1 納米線器件應(yīng)用前景
        1.1.1 砷化物的結(jié)構(gòu)特征及納米線器件
        1.1.2 砷化物核殼結(jié)構(gòu)納米線中的電子態(tài)及光吸收性質(zhì)
    1.2 本文研究?jī)?nèi)容
第二章 理論模型
    2.1 有限元差分法計(jì)算直角棱柱型核殼結(jié)構(gòu)納米線中的電子態(tài)
    2.2 黃金費(fèi)米法則計(jì)算直角棱柱型核殼結(jié)構(gòu)納米線中的光吸收系數(shù)
第三章 數(shù)值結(jié)果和討論
1-x As核殼結(jié)構(gòu)納米線中的電子態(tài)">    3.1 直角棱柱型GaAs/Alx Ga_1-x As核殼結(jié)構(gòu)納米線中的電子態(tài)
1-x As核殼結(jié)構(gòu)納米線中的電子態(tài)">        3.1.1 方形截面GaAs/Alx Ga_1-x As核殼結(jié)構(gòu)納米線中的電子態(tài)
1-x As核殼結(jié)構(gòu)納米線中的電子態(tài)">        3.1.2 矩形截面GaAs/Alx Ga_1-x As核殼結(jié)構(gòu)納米線中的電子態(tài)
1-x As核殼結(jié)構(gòu)納米線中的光吸收">    3.2 方形GaAs/Alx Ga_1-x As核殼結(jié)構(gòu)納米線中的光吸收
        3.2.1 不同殼核尺寸比例下的子帶間光吸收系數(shù)
        3.2.2 固定核尺寸改變殼尺寸時(shí)的子帶間光吸收系數(shù)
        3.2.3 固定殼尺寸改變核尺寸時(shí)的子帶間光吸收系數(shù)
        3.2.4 改變Al組分時(shí)的子帶間光吸收系數(shù)
第四章 總結(jié)與展望
參考文獻(xiàn)
致謝
攻讀碩士學(xué)位期間完成的論文


【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
[1]Comparative study on the influence of AI component at GaAIAs layer for GaAs/A1GaAs photocathode[J]. Yuan Xu,Benkang Chang,Xinlong Chen,Yunsheng Qian.  Journal of Semiconductors. 2017(08)



本文編號(hào)：2970561