【摘要】：結(jié)合器件仿真軟件Sentaurus TCAD,建立了GaAs贗高電子遷移率晶體管器件的電磁脈沖損傷模型.基于此模型,從信號(hào)參數(shù)和外接電阻兩個(gè)方面出發(fā)討論了外界條件對(duì)器件電磁脈沖損傷效應(yīng)的影響.結(jié)果表明,信號(hào)參數(shù)的改變能夠顯著影響器件的損傷時(shí)間:信號(hào)幅度通過(guò)改變器件的吸收能量速度來(lái)影響器件的損傷效應(yīng),其與器件損傷時(shí)間成反比;信號(hào)上升時(shí)間的改變能夠提前或延遲器件的擊穿點(diǎn),其與器件損傷時(shí)間成正比.器件外接電阻能夠減弱器件的電流溝道,進(jìn)而延緩器件的損傷進(jìn)程,且源極外接電阻的影響更加明顯.

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