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141. 基于GaAs工藝的L波段混頻放大多功能芯片研究
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142. NEA-GaAs光陰極直流高壓注入器物理特性與實驗研究
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143. 臺積電2納米取得突破：傳將采用GAA技術(shù)或2023～2024年投產(chǎn)
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144. 一種GaAs基Si 3 N 4 薄膜斜坡電壓測試方法及其應(yīng)用
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145. 基于GaAs HBT的高效高線性射頻功率放大器的研究與設(shè)計
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146. 基于合成的SiO 2 納米球制備GaAs納米線陣列光陰極研究
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147. 雙尺寸分布InGaAs/GaAs量子點的外延生長與器件制備研究
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148. CoFeB/GaAs薄膜的磁各向異性和阻尼因子的研究
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149. 基于超快光譜空間GaAs太陽電池放電行為與少子壽命分析
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150. δ摻雜Si對InAs/GaAs量子點太陽電池的影響
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