在In As/Ga As量子點(diǎn)的自組裝生長(zhǎng)階段,采用δ摻雜技術(shù)對(duì)量子點(diǎn)進(jìn)行不同濃度的Si摻雜,可以使得量子點(diǎn)的室溫光致發(fā)光峰強(qiáng)度大幅提高,其原因是摻雜的Si原子釋放電子鈍化了周圍的非輻射復(fù)合中心。這種摻雜也應(yīng)用到了量子點(diǎn)太陽電池中,結(jié)果表明電池開路電壓從0.72 V提高到了0.86 V,填充因子從60.4%提高到73.2%,短路電流從26.9 m A/cm2增加到27.4 m A/cm2。優(yōu)化的Si摻雜可將量子點(diǎn)太陽的電池效率從11.7%提升到17.26%。

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【文章目錄】：
1 引言
2 實(shí)驗(yàn)
3 結(jié)果與討論
4 結(jié)論



本文編號(hào)：3801663