在LTE小基站應(yīng)用中,射頻功率放大器作為發(fā)射機(jī)中最耗能的部件,除了要滿足LTE嚴(yán)格的線性規(guī)范,還需要盡可能提升在功率回退點(diǎn)處的效率。小基站雖然并不依賴便攜電池作為供電,但常常被密集地部署。因此效率的低下意味著大量的能量損耗。實(shí)現(xiàn)高效高線性的射頻功率放大器意義重大。本論文通過(guò)運(yùn)用理想強(qiáng)非線性模型,分析了降低導(dǎo)通角操作在實(shí)際工程應(yīng)用中的意義。然后,通過(guò)對(duì)比各種工藝技術(shù)下HBT的優(yōu)劣勢(shì),闡明了使用GaAs HBT作為本次設(shè)計(jì)的工藝技術(shù)的原因,并結(jié)合小信號(hào)模型和大信號(hào)模型,分析了HBT的非線性電容效應(yīng)對(duì)AM-PM的影響。有別于傳統(tǒng)的經(jīng)驗(yàn)設(shè)計(jì)方法,本文在設(shè)計(jì)方法上,針對(duì)模塊對(duì)1dB壓縮點(diǎn)和功率回退點(diǎn)效率的要求,提出了功率級(jí)管芯面積和偏置點(diǎn)的設(shè)計(jì)方法。同時(shí),在模塊的物理實(shí)現(xiàn)過(guò)程中,使用調(diào)諧范圍廣,但同時(shí)可微調(diào)的輸出匹配網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu),提高了初次流片的成功率。最后,針對(duì)LTE系統(tǒng)的應(yīng)用規(guī)范,本文基于GaAs HBT工藝,設(shè)計(jì)了工作頻段為925MHz至960MHz的高效高線性射頻功率放大器模塊。模塊通過(guò)單片集成結(jié)合基板材料來(lái)實(shí)現(xiàn),通過(guò)采用兩級(jí)放大器和自適應(yīng)偏置技術(shù),在較小的尺寸上實(shí)現(xiàn)了能滿足LTE嚴(yán)格線性規(guī)... 

【文章來(lái)源】：廣東工業(yè)大學(xué)廣東省

【文章頁(yè)數(shù)】：81 頁(yè)

【學(xué)位級(jí)別】：碩士

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理想強(qiáng)非線性器件

針對(duì) AB 類放大器，通過(guò)降低導(dǎo)通帶來(lái)二次諧波的急劇上升。這表明，對(duì) AB 優(yōu)化，可能會(huì)帶來(lái)更加嚴(yán)重的幅度失真，這時(shí)需要仔細(xì)考慮輸出匹配網(wǎng)路對(duì)二次諧波的大器的過(guò)程意味著對(duì)驅(qū)動(dòng)級(jí)、級(jí)間匹配網(wǎng)絡(luò)、條件)的反復(fù)調(diào)試。上述討論都是基于理想模優(yōu)化會(huì)相當(dāng)繁瑣，在實(shí)際工程設(shè)計(jì)中更是如此統(tǒng)牽引(Load Pull)是指以精確控制的方式向被測(cè) 中提取最佳性能。在負(fù)載牽引測(cè)量中，通過(guò)改能，以便快速且準(zhǔn)確地建立可以獲得來(lái)自指定示的負(fù)載牽引系統(tǒng)用于從晶體管器件中提取所

廣東工業(yè)大學(xué)碩士學(xué)位論文將晶體管視為理想強(qiáng)非線性器件。因此，器件(VCCS)。在實(shí)際 RF 頻段中，如果仍然堅(jiān)持效應(yīng)，如果仍然使用純阻性負(fù)載，則負(fù)載將包含虛部的，用于將寄生元件諧振掉。如圖 ICQ=150mA, Vcc=4.2V。管芯由 5 個(gè)面積為(3負(fù)載牽引仿真的最優(yōu)阻抗為(18.8+j8.5)Ω。

【參考文獻(xiàn)】：
期刊論文
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本文編號(hào)：3631828