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91. GaN基凹槽柵
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器件設(shè)計(jì)與制備技術(shù)研究
92. 基于PCB羅氏線圈的SiC
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93. 多晶金剛石半導(dǎo)體材料及
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94. 面向超低電壓射頻低噪聲設(shè)計(jì)的
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95. 氫終端多晶金剛石
MOSFET
器件制備和特性研究
96. 碳化硅
MOSFET
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97. 1700V碳化硅
MOSFET
器件和UIS特性研究
98. 寬溫度范圍低開關(guān)損耗SiC
MOSFET
驅(qū)動(dòng)電路研究
99. SiC
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100. 飽和區(qū)下納米
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噪聲機(jī)理的分析與建模
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