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91. 量子阱結(jié)構(gòu)對(duì)含V形坑InGaN/GaN藍(lán)光LED效率衰減的影響
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92. AlGaN電子阻擋層對(duì)Si襯底GaN基綠光LED性能影響的研究
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93. Si襯底上大功率GaN基LED的外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與器件制備
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94. 基于GaN-LED與光柵的集成光波導(dǎo)的設(shè)計(jì)與性能分析
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95. 含V形坑的Si襯底GaN基單量子阱綠光LED有源區(qū)研究
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96. 有源區(qū)結(jié)構(gòu)對(duì)硅襯底GaN基LED載流子輸運(yùn)及復(fù)合影響的研究
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97. n-AlInGaN作為電子緩沖層量子勢(shì)壘的GaN基LED發(fā)光效率提升研究
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98. n-ZnO納米棒/p-GaN異質(zhì)結(jié)LED光電性能的研究
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99. 基于條紋狀藍(lán)寶石襯底和硅襯底的GaN基LED的制備及性能研究
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100. 準(zhǔn)備層及量子阱區(qū)生長(zhǎng)條件對(duì)Si襯底GaN基LED性能影響的研究
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