臨床顱腦電阻抗成像技術(shù)原始電壓信號(hào)的干擾研究
【學(xué)位單位】:西安電子科技大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:R741.044;TN911.7
【部分圖文】:
第二章 臨床顱腦 EIT 信號(hào)分析理論基礎(chǔ)2.1.2 EIT 技術(shù)的基本原理在進(jìn)行臨床顱腦 EIT 監(jiān)護(hù)時(shí),數(shù)據(jù)采集前需要將顱腦 EIT 系統(tǒng)的 16 個(gè)電極的固定在患者頭部如圖 2.2 所示。臨床顱腦 EIT 的理論基礎(chǔ)是通過(guò) 16 個(gè)電極在目標(biāo)表面施加安全范圍內(nèi)的交流激勵(lì)電流信號(hào),采用對(duì)向激勵(lì)同向測(cè)量模式同時(shí)目標(biāo)組織表面的電壓信號(hào),用測(cè)量得到的邊界交流電壓信號(hào)經(jīng)過(guò)數(shù)字信號(hào)處理的和解調(diào)技術(shù)得到的一維單幀 192 個(gè)有效測(cè)量數(shù)據(jù)進(jìn)行顱腦圖像重構(gòu)得到顱腦組部的阻抗或阻抗變化圖像。在 EIT 進(jìn)行人體組織測(cè)量時(shí),由于人體是個(gè)大的生體,人體內(nèi)的組織和器官具有一定的電阻抗特性,經(jīng)臨床試驗(yàn)研究,不同的生物組同種組織的生理病理的電阻抗特性具有差異。在組織外部選擇輸入合適的激勵(lì)信在組織表面測(cè)得體表信號(hào),經(jīng)計(jì)算機(jī)處理后,得到顱腦 EIT 的阻抗特性的相應(yīng)EIT 技術(shù)正是用這一基本原理,通過(guò)邊界測(cè)量目標(biāo)木質(zhì)區(qū)域外邊界的電壓信號(hào)變計(jì)目標(biāo)導(dǎo)體內(nèi)部的電阻率變化情況。
對(duì)臨床數(shù)據(jù)進(jìn)行 EMD 分解后得到的多個(gè) IMF 分量中的 IMF3 進(jìn)析,得到瞬時(shí)頻率,如圖 3.16 所示,這使得時(shí)間序列尺度上的瞬時(shí)的物理意義從圖中的 IMF3 瞬時(shí)頻率結(jié)果來(lái)看信號(hào)隨著時(shí)間序列信號(hào)波動(dòng)性。圖 3.17 展示的是對(duì) EMD 處理的結(jié)果進(jìn)行統(tǒng)計(jì)顯著性檢驗(yàn)的顱腦 EIT 人體數(shù)據(jù) IMF3 分量的 Hilbert 譜分析結(jié)果。上下兩個(gè)圖是對(duì)應(yīng)信號(hào)和 IMF3 分量信號(hào)的瞬時(shí)頻率。
時(shí)通過(guò)前端的電極系統(tǒng)來(lái)進(jìn)行,在,即使是麻醉狀態(tài),患者仍會(huì)有不行醫(yī)護(hù)操作,這些外加的動(dòng)作會(huì)在過(guò)程中引入體動(dòng)干擾,通過(guò)分析,的邊界測(cè)量數(shù)據(jù)變化。統(tǒng)受壓力作用表示為電流從電極EIT 的使用場(chǎng)景中,電極涂抹導(dǎo)電電子經(jīng)過(guò)一系列的電化學(xué)變化轉(zhuǎn)換礙作用被稱之為接觸阻抗。在實(shí),因此對(duì)電極特性的建模需要利用。所以,電極-頭皮接觸層的電傳勵(lì)頻率,容性成分對(duì)應(yīng)的容抗是固觸阻抗可以認(rèn)為是固定不變的。
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