發(fā)布時(shí)間：2017-07-16 04:05

  本文關(guān)鍵詞：喹諾酮類(lèi)藥物分子印跡傳感器的研究

  更多相關(guān)文章： 分子印跡 電化學(xué)傳感器 電聚合 方波伏安法

【摘要】：分子印跡技術(shù)(molecular imprinting technology)是合成對(duì)某一特定目標(biāo)分子(印跡分子,模板分子)具有特異選擇性的聚合物,具有預(yù)定性,較高的識(shí)別性,抗外界環(huán)境干擾性強(qiáng),可重復(fù)使用等的優(yōu)點(diǎn),其在電化學(xué)傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用近些年引起廣泛關(guān)注。分子印跡聚合物膜固定在電極上的方法有很多種,其中電化學(xué)聚合法具有制備簡(jiǎn)單、膜厚可控、膜在電極上的附著力能力強(qiáng)、重現(xiàn)性好等的特點(diǎn),用該方法制備傳感器可以提高工作效率。本論文簡(jiǎn)要介紹了喹諾酮類(lèi)藥物的應(yīng)用現(xiàn)狀,將分子印跡技術(shù)與電化學(xué)技術(shù)相結(jié)合,利用電化學(xué)聚合法獲得了喹諾酮類(lèi)藥物分子印跡電化學(xué)傳感器。用方波伏安法(SWV)表征對(duì)分子印跡電化學(xué)傳感器的性能,并將其應(yīng)用于藥物制劑的檢測(cè)。其主要內(nèi)容概述如下:(1)吡咯(Py)和鄰苯二胺(o-PD)為復(fù)合單體,鹽酸環(huán)丙沙星(CPX)為模板,采取循環(huán)伏安法(CV)合成了一種鹽酸環(huán)丙沙星傳感器。采用方波伏安法研究了該傳感器對(duì)鹽酸環(huán)丙沙星的響應(yīng)特性,在最優(yōu)的實(shí)驗(yàn)條件下,實(shí)驗(yàn)結(jié)果表明在1.0×10~(-3)~1.6×10~(-9)mol/L范圍內(nèi),分子印跡電化學(xué)傳感器的峰電流差(△i)與鹽酸環(huán)丙沙星濃度的對(duì)數(shù)呈現(xiàn)線(xiàn)性(相關(guān)系數(shù)為R=0.9981),最低檢測(cè)限為7.58×10~(-11)mol/L(S/N=3),該印跡傳感器具備良好的選擇性,將該印跡傳感器測(cè)定實(shí)際藥片中的鹽酸環(huán)丙沙星含量,其標(biāo)準(zhǔn)偏2.01%~3.27%。(2)以吡咯和鄰苯二胺為單體,恩諾沙星(EF)為模板,通過(guò)電聚合法合成了一種對(duì)恩諾沙星具有特異選擇性的分子印跡電化學(xué)傳感器。通過(guò)方波伏安法表征了該印跡電極的電化學(xué)性能,實(shí)驗(yàn)證明恩諾沙星傳感器表現(xiàn)出了選擇性好,靈敏度高,對(duì)恩諾沙星的線(xiàn)性檢測(cè)范圍是1.0×10~(-4)~1×10~(-10)mol/L,相關(guān)系數(shù)R=0.9994,檢測(cè)限6.57×10~(-13)mol/L(S/N=3),該傳感器成功測(cè)定了藥物中恩諾沙星的含量。(3)利用分子印跡技術(shù)和電化學(xué)聚合方法結(jié)合的方法制備諾氟沙星分子印跡傳感器。通過(guò)方波伏安法研究該傳感器的電化學(xué)行為,結(jié)果表明在優(yōu)化實(shí)驗(yàn)條件下,諾氟沙星(NRF)的濃度在1.0×10~(-3)~1.0×10~(-9)mol/L范圍內(nèi),濃度負(fù)對(duì)數(shù)與峰電流差呈線(xiàn)性關(guān)系,其線(xiàn)性方程:△i=2.07879+0.19926 logc(mol/L),其相關(guān)系數(shù)為R=0.9992,檢出限為3.69×10~(-11)mol/L,所制備的傳感器有較好的重現(xiàn)性選擇性能,應(yīng)用于諾氟沙星藥物中測(cè)定其含量。
【關(guān)鍵詞】：分子印跡 電化學(xué)傳感器 電聚合 方波伏安法
【學(xué)位授予單位】：河南師范大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】：碩士
【學(xué)位授予年份】：2016
【分類(lèi)號(hào)】：O631.3;TP212
【目錄】：

• 摘要4-6
• ABSTRACT6-11
• 第一章 緒論11-23
• 1.1 喹諾酮藥物11-13
• 1.1.1 喹諾酮類(lèi)抗生素的使用狀況及危害12-13
• 1.1.2 常見(jiàn)氟喹諾酮類(lèi)抗生素分析檢測(cè)方法13
• 1.2 分子印跡技術(shù)的概述13-21
• 1.2.1 傳感器的介紹14
• 1.2.2 分子印跡電化學(xué)傳感器的分類(lèi)14-17
• 1.2.3 分子印跡電化學(xué)傳感器的制備方法17-19
• 1.2.4 分子印跡電化學(xué)傳感器的應(yīng)用19-21
• 1.3 課題研究的意義及主要工作21-23
• 第二章 鹽酸環(huán)丙沙星分子印跡電化學(xué)傳感器23-35
• 2.1 引言23
• 2.2 實(shí)驗(yàn)部分23-25
• 2.2.1 試劑與儀器23-24
• 2.2.2 電極的制備24
• 2.2.3 印跡電極的制備24-25
• 2.2.4 檢測(cè)方法25
• 2.3 結(jié)果與討論25-34
• 2.3.1 分子印跡膜的電聚合25-26
• 2.3.2 分子印跡膜的電化學(xué)性能26-27
• 2.3.3 分子印跡傳感器制備條件的優(yōu)化27-31
• 2.3.4 分子印跡傳感器的性能分析31-34
• 2.4 本章小結(jié)34-35
• 第三章 恩諾沙星分子印跡電化學(xué)傳感器35-47
• 3.1 引言35-36
• 3.2 實(shí)驗(yàn)部分36-37
• 3.2.1 試劑與儀器36
• 3.2.2 印跡電極聚合膜的制備36-37
• 3.2.3 電化學(xué)檢測(cè)37
• 3.3 結(jié)果與討論37-46
• 3.3.1 印跡膜的電化學(xué)聚合37-38
• 3.3.2 分子印跡膜的電化學(xué)行為38
• 3.3.3 印跡膜制備條件的優(yōu)化38-43
• 3.3.4 恩諾沙星分子印跡電化學(xué)傳感器性能的測(cè)試43-46
• 3.4 本章小結(jié)46-47
• 第四章 諾氟沙星分子印跡電化學(xué)傳感器47-59
• 4.1 引言47
• 4.2 實(shí)驗(yàn)部分47-49
• 4.2.1 試劑與儀器47-48
• 4.2.2 分子印跡電極的制備48
• 4.2.3 電化學(xué)檢測(cè)48-49
• 4.3 結(jié)果與討論49-58
• 4.3.1 分子印跡傳感器的制備49
• 4.3.2 分子印跡傳感器的表征49-50
• 4.3.3 洗脫溶液的選擇50-51
• 4.3.4 制備過(guò)程中條件的優(yōu)化51-55
• 4.3.5 傳感器電化學(xué)性能的測(cè)試55-58
• 4.4 本章小結(jié)58-59
• 第五章 結(jié)論與展望59-61
• 5.1 結(jié)論59-60
• 5.2 展望60-61
• 參考文獻(xiàn)61-71
• 致謝71-72
• 攻讀碩士學(xué)位期間的科研成果72-73

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