本文關(guān)鍵詞：喹諾酮類藥物分子印跡傳感器的研究

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【摘要】：分子印跡技術(shù)(molecular imprinting technology)是合成對某一特定目標分子(印跡分子,模板分子)具有特異選擇性的聚合物,具有預(yù)定性,較高的識別性,抗外界環(huán)境干擾性強,可重復(fù)使用等的優(yōu)點,其在電化學傳感器領(lǐng)域的應(yīng)用近些年引起廣泛關(guān)注。分子印跡聚合物膜固定在電極上的方法有很多種,其中電化學聚合法具有制備簡單、膜厚可控、膜在電極上的附著力能力強、重現(xiàn)性好等的特點,用該方法制備傳感器可以提高工作效率。本論文簡要介紹了喹諾酮類藥物的應(yīng)用現(xiàn)狀,將分子印跡技術(shù)與電化學技術(shù)相結(jié)合,利用電化學聚合法獲得了喹諾酮類藥物分子印跡電化學傳感器。用方波伏安法(SWV)表征對分子印跡電化學傳感器的性能,并將其應(yīng)用于藥物制劑的檢測。其主要內(nèi)容概述如下:(1)吡咯(Py)和鄰苯二胺(o-PD)為復(fù)合單體,鹽酸環(huán)丙沙星(CPX)為模板,采取循環(huán)伏安法(CV)合成了一種鹽酸環(huán)丙沙星傳感器。采用方波伏安法研究了該傳感器對鹽酸環(huán)丙沙星的響應(yīng)特性,在最優(yōu)的實驗條件下,實驗結(jié)果表明在1.0×10~(-3)~1.6×10~(-9)mol/L范圍內(nèi),分子印跡電化學傳感器的峰電流差(△i)與鹽酸環(huán)丙沙星濃度的對數(shù)呈現(xiàn)線性(相關(guān)系數(shù)為R=0.9981),最低檢測限為7.58×10~(-11)mol/L(S/N=3),該印跡傳感器具備良好的選擇性,將該印跡傳感器測定實際藥片中的鹽酸環(huán)丙沙星含量,其標準偏2.01%~3.27%。(2)以吡咯和鄰苯二胺為單體,恩諾沙星(EF)為模板,通過電聚合法合成了一種對恩諾沙星具有特異選擇性的分子印跡電化學傳感器。通過方波伏安法表征了該印跡電極的電化學性能,實驗證明恩諾沙星傳感器表現(xiàn)出了選擇性好,靈敏度高,對恩諾沙星的線性檢測范圍是1.0×10~(-4)~1×10~(-10)mol/L,相關(guān)系數(shù)R=0.9994,檢測限6.57×10~(-13)mol/L(S/N=3),該傳感器成功測定了藥物中恩諾沙星的含量。(3)利用分子印跡技術(shù)和電化學聚合方法結(jié)合的方法制備諾氟沙星分子印跡傳感器。通過方波伏安法研究該傳感器的電化學行為,結(jié)果表明在優(yōu)化實驗條件下,諾氟沙星(NRF)的濃度在1.0×10~(-3)~1.0×10~(-9)mol/L范圍內(nèi),濃度負對數(shù)與峰電流差呈線性關(guān)系,其線性方程:△i=2.07879+0.19926 logc(mol/L),其相關(guān)系數(shù)為R=0.9992,檢出限為3.69×10~(-11)mol/L,所制備的傳感器有較好的重現(xiàn)性選擇性能,應(yīng)用于諾氟沙星藥物中測定其含量。
【關(guān)鍵詞】：分子印跡 電化學傳感器 電聚合 方波伏安法
【學位授予單位】：河南師范大學
【學位級別】：碩士
【學位授予年份】：2016
【分類號】：O631.3;TP212
【目錄】：

• 摘要4-6
• ABSTRACT6-11
• 第一章 緒論11-23
• 1.1 喹諾酮藥物11-13
• 1.1.1 喹諾酮類抗生素的使用狀況及危害12-13
• 1.1.2 常見氟喹諾酮類抗生素分析檢測方法13
• 1.2 分子印跡技術(shù)的概述13-21
• 1.2.1 傳感器的介紹14
• 1.2.2 分子印跡電化學傳感器的分類14-17
• 1.2.3 分子印跡電化學傳感器的制備方法17-19
• 1.2.4 分子印跡電化學傳感器的應(yīng)用19-21
• 1.3 課題研究的意義及主要工作21-23
• 第二章 鹽酸環(huán)丙沙星分子印跡電化學傳感器23-35
• 2.1 引言23
• 2.2 實驗部分23-25
• 2.2.1 試劑與儀器23-24
• 2.2.2 電極的制備24
• 2.2.3 印跡電極的制備24-25
• 2.2.4 檢測方法25
• 2.3 結(jié)果與討論25-34
• 2.3.1 分子印跡膜的電聚合25-26
• 2.3.2 分子印跡膜的電化學性能26-27
• 2.3.3 分子印跡傳感器制備條件的優(yōu)化27-31
• 2.3.4 分子印跡傳感器的性能分析31-34
• 2.4 本章小結(jié)34-35
• 第三章 恩諾沙星分子印跡電化學傳感器35-47
• 3.1 引言35-36
• 3.2 實驗部分36-37
• 3.2.1 試劑與儀器36
• 3.2.2 印跡電極聚合膜的制備36-37
• 3.2.3 電化學檢測37
• 3.3 結(jié)果與討論37-46
• 3.3.1 印跡膜的電化學聚合37-38
• 3.3.2 分子印跡膜的電化學行為38
• 3.3.3 印跡膜制備條件的優(yōu)化38-43
• 3.3.4 恩諾沙星分子印跡電化學傳感器性能的測試43-46
• 3.4 本章小結(jié)46-47
• 第四章 諾氟沙星分子印跡電化學傳感器47-59
• 4.1 引言47
• 4.2 實驗部分47-49
• 4.2.1 試劑與儀器47-48
• 4.2.2 分子印跡電極的制備48
• 4.2.3 電化學檢測48-49
• 4.3 結(jié)果與討論49-58
• 4.3.1 分子印跡傳感器的制備49
• 4.3.2 分子印跡傳感器的表征49-50
• 4.3.3 洗脫溶液的選擇50-51
• 4.3.4 制備過程中條件的優(yōu)化51-55
• 4.3.5 傳感器電化學性能的測試55-58
• 4.4 本章小結(jié)58-59
• 第五章 結(jié)論與展望59-61
• 5.1 結(jié)論59-60
• 5.2 展望60-61
• 參考文獻61-71
• 致謝71-72
• 攻讀碩士學位期間的科研成果72-73

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本文編號：546970