應(yīng)用于CMOS圖像傳感器的非線性ADC
【學(xué)位單位】:西安理工大學(xué)
【學(xué)位級(jí)別】:碩士
【學(xué)位年份】:2019
【中圖分類】:TP391.41;TP212
【部分圖文】:
西安理工大學(xué)工程碩士專業(yè)學(xué)位論文為柵壓自舉開關(guān)在時(shí)域中的仿真波形 在 20MHz 的時(shí)鐘控制下,過 CLK 高電平采樣低電平保持,得到紅色的輸出信號(hào) Vout,幅值采樣管 Ms 的柵壓信號(hào),從圖中可以看出 Vin 與 VG的差值為恒定恒定,較普通開關(guān)改善了電阻的非線性影響
圖 3-6 柵壓自舉開關(guān)電路的輸入輸出波形圖Fig.3-6 Input and Output Waveform of Gate-Voltage Boost Strap Switch柵壓自舉開關(guān)在頻域下的仿真波形 為驗(yàn)證最差條件下的結(jié)果樣周期,輸入采樣頻率為 2.09MHz 的正弦信號(hào),對(duì)得到的輸T 處理,從頻譜結(jié)果中可以看出柵壓自舉開關(guān)的有效位數(shù)為 1DC 的要求,避免了采樣開關(guān)因電阻變化產(chǎn)生的非線性影響 0.26 dB,信納比為 67.53 dB,無雜散動(dòng)態(tài)范圍為 67.57 dB,也
圖 3-11 分段比和面積的對(duì)應(yīng)關(guān)系Fig.3-11 Correlation between Segmentation Ratio andArea的設(shè)計(jì)可知本文的 DAC 用 5+3+4 的分段譯碼結(jié)構(gòu),而且單位流源陣列的電流值則分別為 1 μA 2 μA 4 μA 8 μA,和高 5 位溫度計(jì)碼的電流源陣列分別為 7 個(gè) 16μA 和 3所以必須注意各個(gè)電流源之間的匹配性 同一種工藝制造際尺寸也不一定相同,最終導(dǎo)致晶體管的閾值 溝道長有微小偏差,這些誤差都是隨機(jī)性的,雖然無法避免但準(zhǔn)偏差與其尺寸的關(guān)系如式(3-8)表示[39]:222242( )THVIGS THWLV V IAA = + Aβ都是由工藝決定,VGS-VTH是 MOS 管的過驅(qū)動(dòng)電壓對(duì)單位電流標(biāo)準(zhǔn)偏差成反比,所以為減小電流源的匹配
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