【摘要】：研究了超連續(xù)譜光源對(duì)可見光CMOS圖像傳感器輻照的實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象和規(guī)律。觀察到隨著入射激光功率的不斷增大,CMOS圖像傳感器依次出現(xiàn)了像元飽和、局部飽和、局部過飽和以及全屏飽和等現(xiàn)象。與1 060 nm鎖模光纖激光輻照同種圖像傳感器的實(shí)驗(yàn)相對(duì)比,從有效干擾面積、圖像相關(guān)度及圖像均方差等三個(gè)方面,對(duì)比了兩種干擾源在影響CMOS圖像傳感器成像質(zhì)量方面的異同,發(fā)現(xiàn)CMOS圖像傳感器的響應(yīng)特性、激光的頻譜特性和成像光學(xué)系統(tǒng)的色散是導(dǎo)致干擾效果差異的主要原因。
[Abstract]:The experimental phenomena and rules of supercontinuum spectral source irradiation on visible CMOS image sensor are studied. It is observed that with the increasing of incident laser power, the pixel saturation, local supersaturation and full-screen saturation are observed successively in CMOS image sensors. Compared with the experiment of 1 060 nm mode-locked fiber laser irradiating the same image sensor, the effective interference area, image correlation and image mean square error are three aspects. By comparing the differences and similarities of two kinds of interference sources affecting the imaging quality of CMOS image sensors, it is found that the response characteristics of CMOS image sensors, the spectral characteristics of laser and the dispersion of imaging optical system are the main reasons leading to the difference of interference effect.
【作者單位】： 電子工程學(xué)院脈沖功率激光技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;
【基金】：脈沖功率激光技術(shù)國(guó)家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室基金(SKL2014ZR09)
【分類號(hào)】：TP212

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本文編號(hào)：2223637