本文選題：CMOS + APS��； 參考：《發(fā)光學(xué)報(bào)》2017年03期

【摘要】：研究了γ射線電離輻射效應(yīng)對商用CMOS有源像素傳感器(APS)性能參數(shù)的影響,著重分析了量子效率、轉(zhuǎn)換增益、暗電流、壞點(diǎn)和脈沖顆粒噪聲等參數(shù)。研究結(jié)果表明:當(dāng)受到1 000 Gy輻射后,APS失去工作能力,無信號(hào)輸出或像素灰度值僅為0,110,255 DN。60Coγ射線的離位截面約為10-25cm2(0.1 b)。當(dāng)劑量率低于58.3 Gy/h且輻照時(shí)間較短時(shí),輻射對量子效率及轉(zhuǎn)換增益無影響,壞點(diǎn)產(chǎn)生數(shù)為0,總劑量效應(yīng)使3T-APS的本底噪聲升高到4.62 DN但對4T PPD APS幾乎無影響。脈沖顆粒噪聲引起的各灰度值像素?cái)?shù)量分布呈泊松分布,并與劑量率正相關(guān)。
[Abstract]:The effect of gamma ray ionizing radiation on the performance parameters of commercial CMOS active pixel sensor (APS) is studied. The parameters such as quantum efficiency, conversion gain, dark current, bad point and pulse particle noise are emphatically analyzed. The results show that APS loses its working capacity after 1000 Gy radiation, and the non signal output or pixel gray value is only 0110,25 The cross section of the 5 DN.60Co gamma ray is about 10-25cm2 (0.1 b). When the dose rate is lower than 58.3 Gy/h and the irradiation time is short, the radiation has no effect on the quantum efficiency and the conversion gain, the number of bad points is 0. The total dose effect makes the background noise of 3T-APS to 4.62 DN, but there is almost no effect on 4T PPD APS. The number distribution of pixels is Poisson distribution and is positively correlated with dose rate.
【作者單位】： 南華大學(xué)核設(shè)施應(yīng)急安全作業(yè)技術(shù)與裝備湖南省重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室;南華大學(xué)核科學(xué)技術(shù)學(xué)院;中國核動(dòng)力研究設(shè)計(jì)院;
【基金】：湖南省科技重大專項(xiàng)(2012FJ1007) 湖南省研究生科研創(chuàng)新項(xiàng)目(2015SCX02)資助~~
【分類號(hào)】：TP212

【參考文獻(xiàn)】

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【共引文獻(xiàn)】

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【二級參考文獻(xiàn)】

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【相似文獻(xiàn)】

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本文編號(hào)：2073447