本文關(guān)鍵詞：基于開路電壓和環(huán)境溫度的鉛酸蓄電池充電狀態(tài)的數(shù)學(xué)模型，由筆耕文化傳播整理發(fā)布。

《21世紀(jì)太陽能新技術(shù)——2003年中國太陽能學(xué)會學(xué)術(shù)年會論文集》2003年

高開路電壓納米非晶硅太陽電池

胡志華  廖顯伯  刁宏偉  曾湘波  徐艷月  孔光臨  

【摘要】：本文報道了通過適當(dāng)氫稀釋(RH=15)和合適的襯底溫度(T_s=170℃),用PECVD制備得到的寬帶隙氫化納米非晶硅(na-Si:H)薄膜,并將其用作pin太陽電池的本征層,經(jīng)過電池結(jié)構(gòu)和工藝條件的優(yōu)化設(shè)計,在p/i,i/n界面插入漸變帶隙緩沖層,制備出了glass/ITO/p-a-SiC:H/i-na-Si:H/n-nc-Si:H/Al結(jié)構(gòu)的pin太陽電池。電池開路電壓(V_(oc))高達(dá)0.94V,同時還能保證72%以上的填充因子(FF)。光電轉(zhuǎn)換效率(E_(ff))達(dá)到8.35%(AM1.5,100mW/cm~2)。

【作者單位】：
【關(guān)鍵詞】：
【基金】：國家重點(diǎn)基礎(chǔ)研究發(fā)展規(guī)則(973)資助項目(批準(zhǔn)號:G2000028201)
【分類號】：TM914.4
【正文快照】：

1己l侶緒JL,.「1 近年來,多孔硅(porous一Si)以及含氧、含氮和氮化納米晶硅(ne一51:O,nc-Si,N,ne一51:H)由于量子限制效應(yīng)(Quantum。onfinement effeet)引起晶體硅的能帶結(jié)構(gòu)發(fā)生改變,使其具有了較強(qiáng)的室溫可見光發(fā)光特性,使人們看到了成熟并日益發(fā)展的硅基微電子工藝最終實(shí)

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