提出了采用環(huán)境友好型InP/ZnS核殼結(jié)構(gòu)量子點材料制備匹配藍(lán)光Micro-LED陣列的量子點色轉(zhuǎn)換層以實現(xiàn)Micro-LED陣列器件全彩化的技術(shù)方案。通過采用倒置式量子點色轉(zhuǎn)換層方案,實現(xiàn)了InP/ZnS量子點材料和Micro-LED陣列的非直接接觸,從而可以緩解LED中熱量聚集導(dǎo)致的量子點材料發(fā)光主波長偏移、半峰寬展寬以及發(fā)光效率衰減等問題。量子點色轉(zhuǎn)換層中內(nèi)嵌PDMS聚合物柔性膜層,可以消除咖啡環(huán)效應(yīng),同時,色轉(zhuǎn)換層中內(nèi)嵌飛秒激光圖案化處理的500 nm長波通濾光膜層,可以抑制藍(lán)光從非藍(lán)色像素單元出射。最后,實驗制備了像素單元中心間距90μm的16×16 InP/ZnS量子點色轉(zhuǎn)換層。該設(shè)計可以實現(xiàn)基于藍(lán)光Micro-LED陣列的全彩色Micro-LED顯示器件的制備,并且該制備方法可以降低全彩色Micro-LED陣列顯示器件的制備成本。

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