薄膜晶體管液晶顯示器（TFT-LCD）產(chǎn)業(yè)經(jīng)過近30年的發(fā)展,其規(guī)模不斷擴大,技術(shù)成熟度不斷加深。特別是近10年來,國內(nèi)液晶顯示產(chǎn)業(yè)迅速發(fā)展。以北京京東方、上海天馬、深圳華星光電等面板公司紛紛投產(chǎn)G4.5至G11代液晶面板生產(chǎn)線。隨著液晶顯示產(chǎn)業(yè)發(fā)展,薄膜晶體管的光刻制程次數(shù)也從最初的7道降低到5道,制造成本大幅降低。2010年,隨著半透光罩與灰階光罩技術(shù)的應(yīng)用,光刻次數(shù)從5道光罩變成了4道光罩。當(dāng)前4道光刻技術(shù)依舊是各面板廠的主流技術(shù),同時3道光刻技術(shù)目前已成為各大面板廠的主要研發(fā)課題。但是3道光刻技術(shù)因技術(shù)難度大、良率低,目前還有很多問題需要解決。本論文通過對3道光刻技術(shù)的研究,分析了三種常見的3道光刻技術(shù)工藝方法,包括氧化銦錫剝離法、接觸孔填充法及三段式光罩等方法。重點對氧化銦錫剝離技術(shù)的核心工藝方法進行研究,包含負性光阻下挖法、雙層光阻下挖法及光阻與絕緣層下挖法。在此基礎(chǔ)上,自主開發(fā)出一種全新的氧化銦錫剝離技術(shù),即光阻制絨技術(shù)。光阻制絨技術(shù)的原理是使用等離子體對光阻表面進行處理,在光阻表面生長一層絨狀物,這層絨狀物具有很大的表面積,利于ITO沉積在其上。這種光阻絨狀物和ITO的... 

【文章來源】：華南理工大學(xué)廣東省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：72 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

薄膜晶體管制作工藝光罩減少進程

章主要針對薄膜晶體管結(jié)構(gòu)、工作原理、性能參數(shù)及 4 道光刻技章節(jié)所研究的 3道光刻技術(shù)均是基于此常規(guī)的 4道光刻技術(shù)流程上動結(jié)構(gòu)管的驅(qū)動結(jié)構(gòu)一般是按照半導(dǎo)體有源層（Active）、金屬柵電極（（SD）的相對上下和接觸位置來區(qū)分，一般可分為底柵頂接觸、觸、頂柵底接觸四種類型，圖 2-1 為薄膜晶體管常用結(jié)構(gòu)的示意結(jié)構(gòu)，柵極位于最底下，然后是有源溝道層，最后是源漏電極，，故叫底柵頂接觸。圖 b 是底柵底接觸結(jié)構(gòu)，柵極位于最底下，后是源漏電極，溝道底部接觸源漏電極，故叫底柵底接觸。圖 c源層位于底部，中間是源漏電極，最上是柵極，溝道頂部與源漏電觸。圖 d 是頂柵底接觸結(jié)構(gòu)，源漏電極在底部，中間是有源層，底部接觸源漏電極，故叫頂柵底接觸。

特性及與半導(dǎo)體有源層溝道接觸特性均較好。但這種底柵結(jié)構(gòu)也有明顯的缺點，主要是半導(dǎo)體有源層溝道暴露在空氣中，直接和空氣分子接觸，空氣中含有的氧分子和水分子會滲透進導(dǎo)電溝道，影響晶體管的器件特性。上圖 2-1 可以看出，頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管工藝流程是：第一步進行半導(dǎo)體有源溝道層圖形或源漏電極金屬層圖形化，第二步進行絕緣層圖形化，第三步進行柵極金屬層圖形化。頂柵結(jié)構(gòu)的薄膜晶體管的半導(dǎo)體有源溝道層因為被覆蓋在其上的柵極絕緣層保護，所以其器件特性較好。然而其缺點亦比較明顯，主要是原因是絕緣層和柵極金屬層在溝道層之后進行，所以在進行絕緣層和柵極金屬層成膜蝕刻時，制程中的高能粒子會對有源層溝道造成等離子損傷，影響器件特性。當(dāng)前底柵頂接觸型的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)在 TFT-LCD 面板制造技術(shù)中廣泛運用，其中底柵頂接觸型結(jié)構(gòu)因為是否使用半導(dǎo)體溝道保護層而分為背溝道刻蝕型(BCE[32],TheBack Channel Etched Structure)和刻蝕阻擋型(ESL ,The Etch Stopper Structure)兩種類型。如圖 2-2 所示，它們在制造工藝上有很大差別，性能也不同。


本文編號：3291632