隨著太空激光雷達(dá)系統(tǒng)、高精度空間望遠(yuǎn)鏡等空間應(yīng)用技術(shù)的高速發(fā)展,反應(yīng)燒結(jié)碳化硅（RB-SiC）作為理想的太空反射鏡材料得到廣泛關(guān)注與研究。但由于RB-SiC陶瓷材料有極大的硬度,同時(shí)由制備工藝決定其內(nèi)部由兩相性能不同組織構(gòu)成,導(dǎo)致現(xiàn)有的加工技術(shù)難以制造出滿足性能要求的RB-SiC反射鏡�；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）可以提高RB-SiC反射鏡的研拋效率,同時(shí)拋光后的工件具有較好的表面質(zhì)量。利用CMP技術(shù)加工RB-SiC是解決其難加工的思路之一�；瘜W(xué)機(jī)械拋光（CMP）技術(shù)是利用化學(xué)與機(jī)械協(xié)同作用對(duì)工件進(jìn)行去除,在研究RB-SiC化學(xué)機(jī)械拋光過(guò)程時(shí),需要探討芬頓氧化體系對(duì)燒結(jié)SiC表面同步改性的作用機(jī)理與效果,建立化學(xué)氧化改性模型,利用實(shí)驗(yàn)研究拋光液中不同參數(shù)的芬頓體系氧化液對(duì)RB-SiC同步氧化的影響規(guī)律。建立拋光去除模型,利用仿真研究不同拋光工藝參數(shù)下工件下表面的接觸壓力。建立化學(xué)機(jī)械協(xié)同實(shí)驗(yàn),研究各參數(shù)改變對(duì)材料去除率與表面質(zhì)量的影響,得出RB-SiC的最佳CMP條件參數(shù)。本文主要研究?jī)?nèi)容如下:（1）分析拋光液中化學(xué)成分對(duì)RB-SiC改性層厚度的影響,本文利用表面雙向擴(kuò)散原理與經(jīng)典Deal-... 

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【學(xué)位級(jí)別】：碩士

【部分圖文】：

碳化硅反射鏡應(yīng)用實(shí)例

圖 1.2 掃描電鏡下的 RB-SiC 表面α-SiC的區(qū)別在于晶體結(jié)構(gòu)不同，β-SiC為面心立方晶型，閃高、低溫穩(wěn)定性高[24]。α-SiC為六方體晶型，為纖鋅礦結(jié)構(gòu)結(jié)構(gòu)體圖和3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC的晶胞堆積圖，其中iC、6H-SiC為α-SiC。(a) 閃鋅礦結(jié)構(gòu) (b) 纖鋅礦結(jié)構(gòu)

圖 1.2 掃描電鏡下的 RB-SiC 表面β-SiC和α-SiC的區(qū)別在于晶體結(jié)構(gòu)不同，β-SiC為面心立方晶型，閃鋅礦結(jié)SiC的硬度高、低溫穩(wěn)定性高[24]。α-SiC為六方體晶型，為纖鋅礦結(jié)構(gòu)。圖 1.3SiC和α-SiC結(jié)構(gòu)體圖和3C-SiC、4H-SiC、6H-SiC的晶胞堆積圖，其中3C-SiC屬SiC、4H-SiC、6H-SiC為α-SiC。(a) 閃鋅礦結(jié)構(gòu) (b) 纖鋅礦結(jié)構(gòu)

【參考文獻(xiàn)】：
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碩士論文
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[2]碳化硅磨削去除機(jī)理及亞表面裂紋研究[D]. 梁曉輝.哈爾濱工業(yè)大學(xué) 2013
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