ATLAS二期升級中內(nèi)層硅像素徑跡探測器數(shù)據(jù)讀出ASIC研發(fā)
發(fā)布時間:2021-04-06 22:10
ATLAS(AToroidal LHC ApparatuS,超環(huán)面實驗儀器)是歐洲核子中心(CERN)大型強子對撞機(Large Hadron Collider,LHC)上的四大探測器之一,是世界上最大的通用粒子探測器。它在2012年發(fā)現(xiàn)希格斯玻色子以及尋找超越標準模型的粒子物理學理論證據(jù)等方面起到了至關(guān)重要的作用。內(nèi)部探測器(Inner Detector)是ATLAS的重要組成部分。在高能物理實驗中,粒子碰撞產(chǎn)生高強度的輻照效應(yīng)會導(dǎo)致電子學系統(tǒng)失效,而常規(guī)的商用芯片無法滿足實驗中的抗輻照需求。特別是在ATLAS二期升級階段,LHC升級為高亮度LHC(High Luminosity LHC,HL-LHC),其亮度將提升至7*1034 cm-2s-1。更高的亮度會導(dǎo)致更龐大的數(shù)據(jù)量以及更嚴重的輻照傷害。同時,現(xiàn)有的內(nèi)部探測器將由新的內(nèi)層硅像素徑跡探測器(Inner Track,ITk)所取代。因此,設(shè)計高抗輻照、高可靠性和高工作速率的內(nèi)層徑跡探測器數(shù)據(jù)讀出鏈路是ATLAS二期升級中的重要研究方向。本文的主要研究工作是設(shè)計應(yīng)用于內(nèi)層徑跡探測器讀出系統(tǒng)的信號鏈路方案,并解決其中的關(guān)鍵技術(shù),在...
【文章來源】:華中師范大學湖北省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:151 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.?1?LHC基本結(jié)構(gòu)圖??1.2?ATLAS探測器??
,??—??1?|??卜^?專??丫?.?I?'?7??/?>/?\?、、>?\v?forward?calorimeters??V?..??'?/?/?X?I"?,敝ctor?\??*?\?-y?Toroid?magnets?/?、、lAr?electro?magnetic?catorimeters??Muon?chamber*?Solenoid?magnet?I?Iransltion?radiahon?tracker??S?miconducJ〇f?hackor??圖1.2?ATLAS探測器截面圖??由于ATLAS探測器的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,通道數(shù)眾多,碰撞頻率高——約25?ns發(fā)生一次碰??撞,因此會產(chǎn)生難以梳理的海量數(shù)據(jù)。以內(nèi)部探測器為例,如圖I.3所示,內(nèi)部探測器分為??像素探測器[丨丨]、半導(dǎo)體跟蹤器和躍遷輻射跟蹤器。其中,SCT和TRT分成柿(Barrel)端??和帽端(End-cap)兩種不同的形式。在桶形區(qū)域,傳感器模塊圍繞著同心圓柱上進行布置,??在端蓋區(qū)域,這些模塊位于垂直于朿流軸的圓盤上。像表探測器位于ATLAS最中心位置,??包含了三個位于中央的桶形層和位于兩端帽端的三個圓盤層。在這些筒形層和圓盤上,總共??有丨744個探測模塊,其中的1456個在桶形層區(qū)域,剩F的288個位于帽端區(qū)域。每個模塊??的面積是2?cm?*6?cm,包含16塊讀出芯片和其他的電子元件。模塊中的最'j、讀出單元是一??個像素,每個傳感模塊上共有47232個像素,這些像素以328行144列的方式排列^其中的??128列(41984個像素或者88.9%的比例)中的像素面積為50?Um*?400?另外16列??(5248個
,共有620萬個數(shù)據(jù)讀出通道。躍遷輻射跟蹤器是內(nèi)部探測器是最外面??部分,與前兩者的探測方式都不同,它是由漂移管(也稱麥管)作為探測元件的。麥管直徑??為4?mm,長度分為144?cm?(筒形層部分)和37?cm?(端帽部分)兩種,TRT—共有29800條麥??管。因此,如此高密度高集成化的電子學系統(tǒng)對設(shè)計者而言將是一個極巨大的挑戰(zhàn)。即使??ATLAS并不是對所有的數(shù)據(jù)進行采集分析而是使用觸發(fā)系統(tǒng)來記錄測量那些有意義的數(shù)??據(jù),其數(shù)據(jù)量在一年內(nèi)依然能累積到一千萬億字節(jié),非?捎^。??圖1.?3?ATLAS內(nèi)部探測器截面圖??另外,由于粒子碰撞產(chǎn)生大量的輻射,所有的電子器件都暴露于強輻射下。隨著LHC??升級為HL-LHC[12][l3][14],亮度更是高達7*?H^cnrV,更高的亮度意味著更大的轄射量??以及更高的傷害,普通商用芯片根本無法在強輻照下正常工作,所以整個ATLAS探測器中??的電子學系統(tǒng)都需要進行抗輻照的處理。歐洲核子中心提出了一套專門的抗輻照規(guī)則,其目??的在于保證所有的電子元器件在LHC期間能夠滿足10年的服役期。根據(jù)位置的不同,其抗??輻照能力也不一樣,總輻照強度范圍為0.2? ̄?3?kGy。??1.3大型強子對撞機升級計劃??大型強子對撞機(LHC)具有高能量與高亮度等特點,使得探索標準模型之外的新物理??現(xiàn)象以及對己知粒子性質(zhì)的檢測成為可能。整個ATLAS實驗在2011至2012年間總共收集??了?5.25?ftr1?(7?TeV的質(zhì)心能量)和21.7?fb-1?(8?TeV的質(zhì)心能量)的質(zhì)子-質(zhì)子碰撞數(shù)據(jù)。在接??下來的十年里,LHC將計劃進行一系列的升級,使質(zhì)子與質(zhì)子以質(zhì)心能量為14?TeV
【參考文獻】:
期刊論文
[1]直接變頻接收機直流失調(diào)消除技術(shù)[J]. 雷倩倩,陳治明,石寅. 微電子學. 2012(03)
[2]芯片封裝技術(shù)的發(fā)展歷程[J]. 鮮飛. 印制電路信息. 2009(06)
[3]比較幾種輻照對半導(dǎo)體器件性能的影響[J]. 張建新,劉俊星. 嘉興學院學報. 2008(06)
[4]芯片封裝用電子結(jié)構(gòu)材料的現(xiàn)狀與發(fā)展[J]. 張臣. 集成電路應(yīng)用. 2003(05)
博士論文
[1]ATLAS前端讀出系統(tǒng)中抗輻照激光驅(qū)動ASIC設(shè)計[D]. 周威.華中師范大學 2019
[2]ATLAS液氬量能器前端讀出系統(tǒng)Phase-Ⅰ升級的光纖數(shù)據(jù)傳輸ASIC設(shè)計[D]. 李筱婷.華中師范大學 2014
[3]集成電路功耗估計及低功耗設(shè)計[D]. 徐勇軍.中國科學院研究生院(計算技術(shù)研究所) 2006
本文編號:3122242
【文章來源】:華中師范大學湖北省 211工程院校 教育部直屬院校
【文章頁數(shù)】:151 頁
【學位級別】:博士
【部分圖文】:
圖1.?1?LHC基本結(jié)構(gòu)圖??1.2?ATLAS探測器??
,??—??1?|??卜^?專??丫?.?I?'?7??/?>/?\?、、>?\v?forward?calorimeters??V?..??'?/?/?X?I"?,敝ctor?\??*?\?-y?Toroid?magnets?/?、、lAr?electro?magnetic?catorimeters??Muon?chamber*?Solenoid?magnet?I?Iransltion?radiahon?tracker??S?miconducJ〇f?hackor??圖1.2?ATLAS探測器截面圖??由于ATLAS探測器的結(jié)構(gòu)復(fù)雜,通道數(shù)眾多,碰撞頻率高——約25?ns發(fā)生一次碰??撞,因此會產(chǎn)生難以梳理的海量數(shù)據(jù)。以內(nèi)部探測器為例,如圖I.3所示,內(nèi)部探測器分為??像素探測器[丨丨]、半導(dǎo)體跟蹤器和躍遷輻射跟蹤器。其中,SCT和TRT分成柿(Barrel)端??和帽端(End-cap)兩種不同的形式。在桶形區(qū)域,傳感器模塊圍繞著同心圓柱上進行布置,??在端蓋區(qū)域,這些模塊位于垂直于朿流軸的圓盤上。像表探測器位于ATLAS最中心位置,??包含了三個位于中央的桶形層和位于兩端帽端的三個圓盤層。在這些筒形層和圓盤上,總共??有丨744個探測模塊,其中的1456個在桶形層區(qū)域,剩F的288個位于帽端區(qū)域。每個模塊??的面積是2?cm?*6?cm,包含16塊讀出芯片和其他的電子元件。模塊中的最'j、讀出單元是一??個像素,每個傳感模塊上共有47232個像素,這些像素以328行144列的方式排列^其中的??128列(41984個像素或者88.9%的比例)中的像素面積為50?Um*?400?另外16列??(5248個
,共有620萬個數(shù)據(jù)讀出通道。躍遷輻射跟蹤器是內(nèi)部探測器是最外面??部分,與前兩者的探測方式都不同,它是由漂移管(也稱麥管)作為探測元件的。麥管直徑??為4?mm,長度分為144?cm?(筒形層部分)和37?cm?(端帽部分)兩種,TRT—共有29800條麥??管。因此,如此高密度高集成化的電子學系統(tǒng)對設(shè)計者而言將是一個極巨大的挑戰(zhàn)。即使??ATLAS并不是對所有的數(shù)據(jù)進行采集分析而是使用觸發(fā)系統(tǒng)來記錄測量那些有意義的數(shù)??據(jù),其數(shù)據(jù)量在一年內(nèi)依然能累積到一千萬億字節(jié),非?捎^。??圖1.?3?ATLAS內(nèi)部探測器截面圖??另外,由于粒子碰撞產(chǎn)生大量的輻射,所有的電子器件都暴露于強輻射下。隨著LHC??升級為HL-LHC[12][l3][14],亮度更是高達7*?H^cnrV,更高的亮度意味著更大的轄射量??以及更高的傷害,普通商用芯片根本無法在強輻照下正常工作,所以整個ATLAS探測器中??的電子學系統(tǒng)都需要進行抗輻照的處理。歐洲核子中心提出了一套專門的抗輻照規(guī)則,其目??的在于保證所有的電子元器件在LHC期間能夠滿足10年的服役期。根據(jù)位置的不同,其抗??輻照能力也不一樣,總輻照強度范圍為0.2? ̄?3?kGy。??1.3大型強子對撞機升級計劃??大型強子對撞機(LHC)具有高能量與高亮度等特點,使得探索標準模型之外的新物理??現(xiàn)象以及對己知粒子性質(zhì)的檢測成為可能。整個ATLAS實驗在2011至2012年間總共收集??了?5.25?ftr1?(7?TeV的質(zhì)心能量)和21.7?fb-1?(8?TeV的質(zhì)心能量)的質(zhì)子-質(zhì)子碰撞數(shù)據(jù)。在接??下來的十年里,LHC將計劃進行一系列的升級,使質(zhì)子與質(zhì)子以質(zhì)心能量為14?TeV
【參考文獻】:
期刊論文
[1]直接變頻接收機直流失調(diào)消除技術(shù)[J]. 雷倩倩,陳治明,石寅. 微電子學. 2012(03)
[2]芯片封裝技術(shù)的發(fā)展歷程[J]. 鮮飛. 印制電路信息. 2009(06)
[3]比較幾種輻照對半導(dǎo)體器件性能的影響[J]. 張建新,劉俊星. 嘉興學院學報. 2008(06)
[4]芯片封裝用電子結(jié)構(gòu)材料的現(xiàn)狀與發(fā)展[J]. 張臣. 集成電路應(yīng)用. 2003(05)
博士論文
[1]ATLAS前端讀出系統(tǒng)中抗輻照激光驅(qū)動ASIC設(shè)計[D]. 周威.華中師范大學 2019
[2]ATLAS液氬量能器前端讀出系統(tǒng)Phase-Ⅰ升級的光纖數(shù)據(jù)傳輸ASIC設(shè)計[D]. 李筱婷.華中師范大學 2014
[3]集成電路功耗估計及低功耗設(shè)計[D]. 徐勇軍.中國科學院研究生院(計算技術(shù)研究所) 2006
本文編號:3122242
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