隨著電子芯片的高度集成化,集成芯片工作時(shí)發(fā)出的熱量也急劇升高,高熱流密度熱源的散熱問題成為保證芯片可靠持續(xù)工作的首要問題。微通道散熱方式是解決高熱流密度熱源散熱問題最具潛力的方式,一直以來,針對微通道散熱器的研究都是散熱領(lǐng)域的重要課題。本文分別從熱仿真邊界條件和通道結(jié)構(gòu)等方面對微通道散熱器進(jìn)行優(yōu)化研究,提出了一種交叉流道并對其結(jié)構(gòu)進(jìn)行優(yōu)化,開發(fā)了一款軟件用于存儲查閱交叉流道的熱仿真數(shù)據(jù),最后將優(yōu)化的交叉流道應(yīng)用于典型的高熱流密度熱源T/R組件陣列和陣面的散熱問題中。具體工作如下:（1）常規(guī)矩形微通道熱仿真邊界條件及其通道結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究。在邊界條件優(yōu)化方面分別從熱物性參數(shù)、流體工質(zhì)、冷板材料三方面進(jìn)行優(yōu)化。在結(jié)構(gòu)優(yōu)化方面主要針對熱交換面積進(jìn)行優(yōu)化,分別對流道板間距和流道數(shù)量進(jìn)行了優(yōu)化,最終得到了較優(yōu)的流道板間距和流道數(shù)量。（2）交叉流道及其結(jié)構(gòu)優(yōu)化研究�？紤]到高集成度芯片陣面散熱問題對均溫性的要求,提出了一種交叉流道。對比了相同邊界條件下常規(guī)單向流道與交叉流道的熱仿真結(jié)果,并對后者的散熱效果進(jìn)行了研究。分別從進(jìn)出口截面積、流道坡度方面對交叉流道結(jié)構(gòu)進(jìn)行了優(yōu)化,最終得到了三種優(yōu)化交叉流道。對... 

【文章來源】：電子科技大學(xué)四川省 211工程院校 985工程院校 教育部直屬院校

【文章頁數(shù)】：82 頁

【學(xué)位級別】：碩士

【部分圖文】：

微通道熱仿真模型

去離子水各熱物性參數(shù)-溫度關(guān)系曲線圖

圖2-3兩種熱物性參數(shù)邊界條件下熱仿真結(jié)果

【參考文獻(xiàn)】：
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本文編號：3059176